‘전자종이’로 불리는 차세대 디스플레이, 차세대 TV (Ultra Definition급), 태양전지, 반도체 등에 광범위하게 적용되는 트랜지스터 신기술이 개발됐다. 삼성전자는 15일(현지시각) 미국 샌프란시스코에서 열린 세계 3대 반도체 학술 모임인 ‘2008 세계전자소자학회(IEDM)’에서 ‘비정질 산화물 박막 트랜지스터(Amorphous Oxide Thin Film Transistor)’ 기술을 발표한다고 밝혔다.
이 기술은 기존 산화물 박막 트랜지스터의 단일 채널 구조를 이중 채널 구조로 변경해 기존보다 3배 이상 향상된 세계 최고 수준의 전자 이동도(130㎠/V.sec)를 확보함과 동시에 문턱전압(Threshold Voltage; 박막 트랜지스터를 동작시키는 전압)을 제어할 수 있도록 한 것이다. 삼성전자는 이동도가 큰 산화물과 필요한 문턱전압을 갖는 산화물을 접합해 이중채널 구조를 구현했다고 설명했다.
이 기술은 현재 사용하고 있는 LCD 디스플레이 소자뿐 아니라, AM-OLED(능동현 유기발광다이오드), 플렉시블 디스플레이와 같은 차세대 디스플레이, 태양전지, LED(발광다이오드), 센서 등에도 적용이 가능하다. 또 투명한 특징이 있어 고글, 건물의 유리창, 자동차 유리 등 투명 디스플레이에도 적용할 수 있다.
특히 이 기술은 반도체 분야에도 적용 가능해 전자산업 전반에 걸쳐 파급 효과가 클 것으로 기대된다. LCD 디스플레이의 해상도가 풀HD를 넘어 UD(Ultra Definition, 풀HD의 4배 해상도)로 점점 높아지고, 화면 구동속도도 빨라짐에 따라 한꺼번에 전송해야 할 데이터의 양이 많아지게 되어 LCD 디스플레이에 사용되는 박막 트랜지스터의 빠른 속도가 요구되고 있다.
기술은 제조 공정이 현재 LCD 디스플레이 양산 공정과 동일해 신규 투자비를 최소화 할 수 있으며, 주변회로를 패널 내부에 내장할 수 있어 제품 단가를 크게 낮출 수 있다는 것이 또 하나의 장점이라고 삼성전자는 밝혔다.
김영환 삼성전자 전무는 “이 기술을 중장기적으로 플렉시블 또는 투명 디스플레이에 적용할 뿐 아니라, 이동도 때문에 제약됐던 반도체 주변회로까지 응용을 확대해 반도체 소자의 핵심 기술로 발전시킬 계획”이라고 말했다.
