하이닉스반도체가 세계 최고 속도의 모바일 D램을 개발했다.
하이닉스반도체는 4일 세계 최고속ㆍ최소형의 200메가헤르츠(㎒) 512메가비트(Mb) 모바일 D램 개발에 성공했다고 밝혔다.
모바일 D램은 주로 휴대폰에 사용되는 메모리로, PC에 사용되는 메모리에 비해 사용 전력이 최소 100분의1 수준의 저전력으로 설계되는 것이 특징이다. 이번에 하이닉스가 개발한 512Mb 모바일 D램은 기존 제품보다 약 1.5배가량 속도가 빠르고 패키지 크기 또한 10원짜리 동전의 8분의1 수준인 8㎜×10㎜로 업계에서 가장 작다.
이 회사의 한 관계자는 “휴대폰이 최근 3세대로 넘어가면서 DMBㆍ화상통화ㆍ동영상 처리를 위해 요구되던 대용량ㆍ초고속화 조건을 충분히 만족시킨 제품으로 판단된다”고 말했다.
하이닉스는 낸드플래시와 D램을 하나의 칩으로 만든 MCP(Multi Chip Package)에도 이 제품을 적용해 더욱 슬림화된 휴대폰을 만들 예정이다.
회사 관계자는 “주요 모바일 칩셋 업체를 통해 세계 최초 인증이 마무리 단계에 있다”며 “제품 인증과 함께 향후 세계반도체표준협회(JEDEC) 표준규격을 선도해나갈 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다.
