TSV 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달하는 방식으로 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있다.
이 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 제품으로 1.2V 동작전압에서 초당 1Gb(기가비트)의 처리 속도를 구현할 수 있다. 또 1,024개의 정보출입구를 통해 초당 128GB(기가바이트)의 데이터 처리가 가능하다. 이는 초당 28GB로 현재 업계 최고 속도 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르며 전력소비는 40% 가량 낮춘 것이다.
이 제품은 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 전망이다.
SK하이닉스는 이번 제품에 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단으로 쌓았으며 기술적 검증을 위해 그래픽 분야 선두 업체인 AMD와 공동 개발을 진행했다.
SK하이닉스는 내년 상반기 중 샘플을 고객들에게 전달하고 HBM을 시스템온칩(SoC)과 같이 탑재해 한 시스템을 이루는 형태로 공급할 계획이다. HBM 본격 양산은 내년 하반기로 예상된다.
홍성주 SK하이닉스 D램개발본부장 전무는 “TSV 기술을 활용한 HBM 제품의 내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 더욱 강화해 메모리 시장에서 주도권을 지속 확보하겠다”고 말했다.
