현대전자(대표 김영환)는 256메가 SD램 제조원가를 20%정도 절감할 수 있는 새로운 구조의 메모리칩 제조기술인 IMC기술을 개발했다고 30일 밝혔다.이 기술은 I형을 기본으로 한 적층구조에 홀을 형성하는 방식으로 메모리 구성요소인 셀 구조를 개선함으로써 칩크기를 35%이상 줄이고 기억용량을 결정하는 전하저장 유효면적을 최대 40%까지 증대시킨 것이 특징이다.
이 기술은 또 기존 방식에 비해 웨이퍼 1장당 생산가능한 칩 수를 25%이상 늘릴 수 있어 D램의 가격경쟁력과 수익성을 한층 개선할 수 있다고 현대는 설명했다.
현대는 이 기술을 256메가 D램은 물론 64메가·128메가 D램 등에 우선 적용, 회로선폭 0.16 미크론(1미크론 100만분의 1미터)급 제품을 생산하고, 지난해 11월 출하한 1세대 제품보다 크기가 35%이상 작은 2세대 256메가 D램 생산에 활용할 계획이다.
김세정(金世楨) 메모리개발연구소장(전무)은 『이 기술은 설계회로를 웨이퍼에 전사시키는 스테퍼 장비만 변경하고 나머지 메모리 생산설비를 그대로 활용할 수 있어 생산성 향상과 경제성을 도모할 수 있다』고 밝혔다.【고진갑 기자】
