하이닉스반도체는 차세대 이동통신단말기, 개인휴대정보단말기(PDA), 디지털 카메라 등 휴대형 정보기기에 적합한 초저전력 SD램 개발에 성공, 양산에 들어갔다고 29일 밝혔다.
이번에 양산에 들어간 제품은 회로선폭 0.13미크론(1미크론=100만분의 1미터)의 미세회로 공정기술을 적용한 256메가 SD램으로, 동작전압을 기존의 3V 와 2.5V 보다 낮은 1.8V로 낮춰 전력소모를 50% 이상 줄였다고 회사측은 설명했다.
<문성진기자 hnsj@sed.co.kr>
