하이닉스반도체가 내년 시설투자 규모를 2조3,000억원으로 확정했다.
24일 하이닉스는 해외법인을 포함해 2조3,000억원의 시설투자를 계획하고 있다고 공시했다. 이 같은 투자 규모는 올해 1조원에 비해 130% 늘어난 것이다.
하이닉스는 지난 10월 실적보고에서 1조5,000억원을 내년에 투자한다는 방침을 밝혔었다. 하이닉스가 당초보다 투자 규모를 늘린 것은 반도체 경기가 살아나고 있어 적극적인 시장대응이 필요하기 때문으로 풀이된다.
하이닉스는 신규라인 증설보다는 미세공정 업그레이드 위주의 투자를 진행할 것으로 알려졌다. 투자는 주력인 D램의 40나노미터(㎚)대 공정으로의 업그레이드, 낸드플래시 생산능력 확충, 연구개발(R&D) 등에 집중할 방침이다. 특히 낸드플래시의 경우 현재 월 4만5,000개 정도인 생산능력을 내년 말까지 두 배 수준으로 확대할 계획이다. 연구개발비는 매출액 대비 10%선을 유지하기로 했다.
