동양그룹(회장 현재현)은 28일 차세대 메모리반도체인 F(강유전체)램과 1기가비트급 이상의 D램을 생산하는데 필요한 「백금박막 전극증착기술」을 세계최초로 개발했다고 발표했다. 동양중앙연구소가 지난 3년동안 총 15억원을 투자해 개발한 이 기술은 반도체의 실리콘 웨이퍼에 별도의 접착층을 만들지 않고 직접 백금박막전극을 증착하는 첨단기술이다.동양은 이 기술을 활용해 접착층없이 증착할 수 있는 백금박막전극도 개발했다.
전동일박사는 『F램과 1기가비트급이상의 D램은 실리콘웨이퍼와 세라믹 박막, 백금박막전극등으로 구성돼있는데 기존의 백금박막전극은 실리콘웨이퍼와의 부착력이 약해 별도의 접착층을 만들어야했으나 이 기술은 백금박막전극을 바로 증착함으로써 기술력의 한계를 극복했다』고 설명했다.
동양이 이 기술을 개발함으로써 F램과 1기가급이상 D램개발에 주력하고 있는 삼성·현대·LG등 국내반도체들은 이들 차세대반도체 생산시 상당한 경비를 절감할 수 있을 것으로 기대되고 있다. 이 전극은 또 팩시밀리와 복사기등 각종 전자제품의 소형화와 경량화에도 폭넓게 응용할 수 있을 것으로 예상되고 있다.
동양은 이와함께 백금을 구성하는 결정들을 기존 백금과는 다른 방향으로 배열하는 새로운 기술을 개발함으로써 적외선 센서등의 품질도 대폭 개선할 수 있을 것으로 전망했다. 동양은 이번에 개발한 백극박막전극을 증착한 제품을 다음달부터 국내외에 판매할 계획이다. 동양은 이번 기술개발과 관련해 이미 미국특허 1건을 획득했으며, 백금박막정렬방식도 미국과 일본등 선진국에 특허를 출원했다고 밝혔다.<이용택 기자>
◎전동일 연구팀장 밝혀/“산화물전극 보다 탁월… 시장주도 자신”
개발주역인 전동일 동양중앙연구소 백금박막연구팀장(36)은 『이 기술은 차세대 반도체의 개발 및 상용화의 핵심이다』며 『이의 개발로 세계 반도체시장을 우리나라가 주도하는데 크게 기여하게 될 것으로 믿는다』고 말했다. 그는 『이 기술은 선진기업들이 개발하다 포기한 것』이라며 독자개발의 특별한 의미를 강조했다. 현재 주요 선진국들은 백금박막전극 대체용으로 산화물 전극을 이용하고 있다. 전박사는 『우리가 개발한 기술은 전극의 성능, 환경보호, 인체무해성 등 여러분야에서 선진국들이 이용하고 있는 산화물 전극 보다 훨씬 우수하다』고 말했다. 이 기술의 개발로 세계 반도체업체들이 그동안 차세대 제품개발에서 풀지 못했던 기술적 난제를 해결하게 된 것도 전박사가 강조하는 의미.
『지난 3년동안 이 기술을 개발하기 위해 4명으로 구성된 연구팀원과 밤샘작업을 수 없이 했다』며 『그동안의 함께 고생한 팀원들의 노고에 감사한다』고. 전박사는 서울대 무기재료공학과 학사, 석사, 박사 출신.
