하반기 D램 생산량 늘린다국내 반도체업체들이 PC 성수기를 맞고 있는 하반기에 D램 공급난이 더욱 심각해질 것에 대비 D램 생산량을 크게 늘릴 전망이다.
15일 업계에 따르면 삼성전자와 현대전자는 라인 증설과 회로선폭 미세화를 통해 D램 생산량을 늘리는데 주력하고 있다.
현재 9개 라인을 가지고 있는 삼성전자는 오는 10월부터 웨이퍼 1만6,000장 규모의 10라인을 새로 가동할 방침이다. 현대전자도 다음달부터 청주공장에 웨이퍼 2만장 규모 라인을 새로 깔아 4·4분기부터 가동에 들어갈 계획이다.
웨이퍼는 D램의 원재료가 되는 얇은 실리콘 원판을 말하며 「한 장의 웨이퍼에서 얼마나 많은 D램을 만들어내느냐」가 전체 D램 생산량을 결정한다.
웨이퍼당 D램 생산량은 「한 개 D램의 회로를 얼마나 가늘게 만드느냐」에 달려 있어 반도체업체들은 0.20~0.22㎛(1㎛은 100만분의 1m)의 회로선폭을 0.17~0.19㎛로 줄이는 작업을 벌이고 있다.
삼성전자는 현재 30% 정도 남은 0.2~0.22㎛ 라인을 연말까지 전부 0.17~0.19㎛로 바꿀 계획이며 현대전자는 전체의 30% 수준인 0.18㎛라인을 70% 이상으로 끌어올릴 방침이다.
이에 따라 삼성전자의 D램 생산량(64메가 D램 기준)은 월 6,100만개에서 연말에는 7,500만개, 현대는 6,600만개에서 8,000만개로 늘어날 전망이다.
업계 관계자는 『최근 미국 마이크론사가 D램 공급가격을 계속 인상하고 있다』며 『이는 업체들의 생산 증대에도 불구하고 미국·유럽국가들의 개학 및 크리스마스 시즌을 맞아 D램 공급이 수요를 따라가지 못할 것이라는 전망에 따른 것』이라고 설명했다.
조영주기자YJCHO@SED.CO.KR
입력시간 2000/08/15 18:38
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