삼성전자, '4기가 D램 기술' 첫개발

삼성전자, '4기가 D램 기술' 첫개발 삼성전자가 차세대 D램기술인 '4기가 D램반도체 제품기술'을 개발하는데 성공했다. 삼성전자는 7일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 ISSCC(국제반도체학회)에서 0.10㎛(1미크론 =100만분의 1미터) 초미세 공정기술을 적용한 4기가 메모리 반도체의 기술개발과 관련된 논문을 발표, 세계최초로 4기가 D램 시대를 열었다고 발표했다. 관련기사 삼성이 이날 발표한 기술은 ▦고집적도 대용량 메모리의 특성을 소화해 낼 수 있도록 하는 미세증폭회로 ▦안정화회로 관련 기술과 저전력화와 고속동작을 가능하도록 하는 복합설계 기술이다. 4기가 D램(사진) 은 용량이 42억9,000만 비트로 1개 칩에 영문글자 기준으로 5억자, 신문 3만2,000페이지등을 저장할 수 있어 초고성능 서버용으로 사용될 수 있는 첨단 제품이다. 삼성전자는 이 제품개발로 오는 2004년 초기시장이 형성될 것으로 예상되는 4기가 D램 제품의 양산에서 시장을 선점하게 ?고, 다른 경쟁업체와 2년 정도의 기술격차를 유지하게 됐다고 밝혔다. 특히 삼성이 이번에 개발한 0.10미크론 기술을 기흥공장에서 양산중인 256메가 및 128메가 D램 제품에 적용할 경우 60% 이상의 원가절감 효과가 예상돼 반도체 원가 경쟁에서도 확고한 우위를 확보하게 된다고 밝혔다. 삼성은 0.10미크론 기술은 고해상도 사진현상 기술, 셀(Cell)정전(靜電)용량 확보기술, 저(低)저항 배선기술 등 최첨단 기술을 모두 확보해야 가능하다고 설명했다. 한편 삼성전자가 4기가 제품 기술개발을 발표함으로써 우리나라는 지난 92년 64메가 D램 이후 4기가 D램에 이르기까지 10년에 걸쳐 D램 분야의 최고기술 보유국으로 입지를 굳히게 됐다. 조영주기자