삼성전자(대표 윤종용·尹鍾龍)는 16일 이윤우(李潤雨) 반도체 총괄 사장 등이 참석한 가운데 화성단지 건설의 첫 단계로 128메가D램·256메가D램·램버스D램을 전용 생산할 10, 11라인 생산공장 상량식을 가졌다.李사장은 이자리에서 『2000년 안에 0.12미크론급의 초극세 가공기술을 개발하고 2001년에는 0.10미크론급 기술을 확보해 경쟁업체와의 시장차별화를 확대해 나갈 것』이라고 말했다.
그는 또 『화성 생산단지 조성을 계기로 D램·S램 분야의 매출 및 수익력 세계 1위를 유지하고 플래시 메모리 분야에서도 세계 1위에 올라설 수 있는 기반이 조성됐다』며 『메모리 반도체 생산능력 확충으로 그동안 상대적으로 우선순위에서 밀려 있던 비메모리 반도체의 경쟁력도 높일 수 있게 됐다』고 말했다.
총 18억달러를 투자해 오는 2001년 3월 준공할 예정인 삼성전자의 10라인 생산공장은 세계 최초로 0.15미크론(100만분의1미터)의 초극세 가공기술을 적용, 월 3만2,000매(8인치 웨이퍼 기준)를 가공, 생산할 예정이다.
또 11라인 생산공장은 현재 1단계 파이롯트 생산이 끝나고 2단계 파이롯트 생산에 들어간 12인치 웨이퍼 가공을 전담할 예정이다.
삼성전자는 이번 화성단지 조성을 통해 총 8개 반도체 생산라인을 추가 증설할 기반을 마련했으며 오는 2005년까지 최대 1만명의 신규 고용창출 효과를 나타낼 것으로 기대했다.
한편 삼성전자는 장기적으로 기흥 생산단지는 비메모리 중심으로 전환하고 화성 생산단지는 차세대 메모리 반도체 전용단지화시켜 나갈 방침이다.
김형기기자KKIM@SED.CO.KR
