◎논리소자에 4MD램 지원 성능 극대화/회로선폭 0.35미크론현대전자(대표 정몽헌)는 4일 비메모리반도체와 메모리반도체를 하나로 묶어 국내에서는 회로간의 폭이 가장 작은 복합칩 EDL(Embedded DRAM in Logic·사진)을 개발하는데 성공했다고 발표했다.
이 칩은 연산·기억·전송·변환 등의 기능을 갖춘 비메모리 로직(논리소자)과 메모리 4메가D램을 하나의 칩으로 통합함으로써 처리속도와 시스템성능을 대폭 향상시키고 생산비를 획기적으로 줄였다.
현대전자는 2메가D램에서 12메가D램까지 적용할 수 있는 이 EDL기술을 이용해 올해안에 하드디스크드라이브컨트롤러, CD롬컨트롤러, 그래픽스컨트롤러 등에 이용될 비메모리반도체를 중점적으로 생산할 방침이라고 덧붙였다.
현대전자의 미국현지법인 자회사인 심비오스로직사와 공동개발한 로직기술에 EDL기술을 접목한 이 제품은 3.3볼트의 낮은 전압에서도 작동하는 절전형제품이며 최소선폭 0.35미크론급 3층 금속선CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor·상보성금속산화막반도체)로 기존의 복합반도체보다 한 세대이상 앞선 제품으로 평가되고 있다.
현대전자 박헌섭 이사는 『로직에 D램메모리를 이식하는 경우 기술적인 한계때문에 D램의 크기가 커지는 등의 문제가 많았으나 EDL기술은 현재의 D램구조를 그대로 사용할 수 있어 제품의 고밀도화가 가능해 경제적이며 제품개발기간도 크게 단축할 수 있다.』고 설명했다.
그는 『현대전자는 로직에 D램을 이식할 경우 발생하는 단점을 극복하기 위해 고에너지이온주입, 쌍극성게이트, 자기정합실리사이드, 화학적기계적폴리싱, 텅스텐매립 등 최신의 첨단비메모리제조기술을 사용해 로직의 성능을 유지하면서 D램의 장점을 그대로 이식했다.』고 덧붙였다.
현대전자는 0.35미크론급 EDL을 개발함으로써 2000년에 30억달러이상의 시장형성이 예상되는 고부가가치의 새로운 비메모리응용분야에서 세계적인 기술력확보와 시장선점이 가능해졌다고 평가하고 앞으로 0.25미크론급의 EDL을 개발, 세계적인 경쟁력을 가춰 나갈 방침이라고 강조했다.<김희중>
