삼성전자가 최근 미국 실리콘밸리에서 차세대 10나노미터(nm·1nm는 10억분의1m) 핀펫 공정을 적용한 반도체 원판(웨이퍼)을 공개한 것으로 알려졌다. 삼성은 이미 14나노 핀펫 공정을 적용한 반도체를 세계 최초로 양산하고 있으며 내년 말께 10나노 양산에 들어간다고 밝힌 바 있다.
5일 업계에 따르면 삼성전자의 북미 반도체총괄법인(SSI)은 지난달 샌프란시스코에서 현지 반도체 업계 주요 관계를 초청해 10나노 핀펫 공정이 적용된 12인치 반도체 원판을 공개했다. 이 행사는 새너제이 반도체 연구개발센터(R&D) 완공을 앞둔 사전 행사 격으로 풀이된다. SSI 측은 이날 현지 언론을 통해 "10나노 공정이 적용된 반도체 칩 양산 준비는 계획대로 진행되고 있다"며 "사물인터넷(IoT) 기기와 서버용에 탑재될 반도체 성능 향상에 최선을 다할 것"이라고 강조했다. 또 차세대 액정표시장치(LCD), 유기발광다이오드(OLED) 디스플레이 개발에도 전력을 다하겠다고 SSI는 덧붙였다.
한편 김기남 삼성전자 반도체총괄 사장은 올 2월 국제고체회로학회(ISSCC)에서 10나노 반도체 공정기술 개발에 성공했다고 밝혀 인텔·TSMC 등 경쟁사를 긴장시켰다.
