◎성냥갑 ⅓ 크기에 신문 8,000장 분량 정보 저장/1.8볼트 저전압서도 작동·처리속도 20% 향상현대전자(대표 정몽헌)가 세계최초로 차세대반도체소자인 실리콘 2중막웨이퍼인 SOI(Silicon On Insulator)를 이용한 1기가 싱크로너스D램을 개발하는데 성공했다.
김영환 현대전자사장은 12일 기자회견을 갖고 『0.4미크론 두께의 실리콘 절연막위에 다시 실리콘 박막을 형성시킨 SOI웨이퍼를 이용해 1.8∼2.2볼트의 낮은 전압에서도 작동하고 5나노초(1나노는 10억분의 1)의 초고속으로 기존제품보다 20% 더 빠르게 데이터를 처리할 수 있는 1기가 싱크로너스D램을 세계최초로 개발했다』고 발표했다.
김사장은 『이 제품은 머리카락 약 6백만분의 1에 해당하는 0.17미크론의 초정밀미세가공공정을 통해 소형성냥갑 3분의1(6백90㎟)의 칩속에 신문지 8천장분량(정지화상은 4백장, 음성정보는 16시간)에 해당하는 정보를 저장할 수 있는 대용량 메모리반도체로 전압·동작속도 등에서 기존제품보다 뛰어나 각종 멀티미디어기기를 포함한 차세대전자기기에 폭넓게 사용할 수 있다』고 설명했다.
SOI웨이퍼를 이용한 기가급반도체는 현재 미국·일본 등 선진반도체업체들이 개발을 추진하고 있는 제품으로 현대전자는 지난 95년7월부터 1백70여명의 연구원이 총 5백50억원을 들여 처음 개발에 성공했다.
현대전자는 이번에 자체개발한 SOI기술을 이용해 기가급 메모리의 개발은 물론 고속메모리소자와 복합반도체인 MML(Merged Memory Logic) 등에도 적용할 방침이다. 현대전자는 이 기술개발과 관련해 13건의 기술특허를 출원했다.
◎SOI기술이란/실리콘 절연막 위에 박막 입혀/초고집적 제품개발 필수기술
현대전자가 세계최초로 개발한 SOI기술은 실리콘웨이퍼위에 바로 회선을 만드는 기존 방식과는 달리 한 번 더 실리콘 박막을 입힘으로써 간단한 구조의 고집적메모리제품을 개발할 수 있는 기술이다.
이 기술은 또한 접합의 정전용량이 거의 없어 D램 셀의 축적용량을 대폭 줄일 수 있으므로 비교적 낮은 단차(물리적 높이차)로 고집적화가 수월해 기가급 이상의 초고집적제품개발에 필수적인 기술로 평가되고 있다. 이 기술을 사용할 경우 사용전압을 1.5볼트까지 낮출 수 있어 사용전압의 효율화가 필요한 각종 휴대형정보기기뿐만 아니라 메모리 및 비메모리반도체 전반에 걸쳐 저전압화 및 고속화실현을 위해 폭넓게 사용될 것으로 예상되고 있다.
◎김영환 사장 일문일답/기술력 우위… 시장선점 유리고지 확보/이천공장 증설문제 좋은 결과 있을 것
SOI기술개발의 의의는.
▲현재 IBM·도시바·지멘스 등이 국제협력을 통해 이 기술을 개발하고 있으나 현대전자가 가장 먼저 개발함으로써 이 부문에서 선도적인 우위를 확보하게 됐다. 이 기술의 가장 큰 특징은 매우 낮은 전압으로도 데이터를 고속과 고용량으로 집적할 수 있다는 점이다.
상용화되기까지는 아직도 6∼7년이란 긴 시간이 남아 있는데 미리 개발한 배경은.
▲반도체는 기술선점이 바로 시장장악으로 연결된다. 기존의 다른 제품과 마찬가지로 1기가D램도 미리 개발해야만 장비 등 여러가지 부수적인 문제를 해결할 수 있는 것이다.
미국·일본 등 다른 업체의 개발상황은 어떠한가.
▲IBM·지멘스·도시바가 국제공동으로 이 기술을 개발하고 있으나 아직 완전히 개발을 끝마치지는 못한 것으로 알고 있다. 다시말해 D램기술에서는 한국업체가 선두를 달리고 있다고 할 수 있다.
경기도 이천반도체공장의 증설에 대해 의견이 분분한데.
▲반도체는 투자시기가 가장 중요하다. 타이밍을 놓치면 한달에도 매출이 몇천억원씩 차이가 난다.
현재 이천공장의 증설문제를 놓고 정부부처간에 견해차가 있는 것으로 알고 있으나 수출 등 경제적인 측면을 감안하면 좋은 결과가 올 것으로 믿는다.<김희중>
