김종갑 하이닉스반도체 사장이 “기술개발과 수율에서 1위 업체(삼성전자)와의 격차를 완전히 좁히겠다”며 D램 생산에서 삼성전자를 따라잡겠다고 강조했다.
삼성전자에 비해 그동안 D램기술 개발과 양산 시기가 한발 늦어온 하이닉스가 올해 50나노 공정부터 시차를 없애 대등한 경쟁을 벌여나가겠다는 것.
김 사장은 28일 이천 하이닉스 본사에서 열린 주주총회에서 “D램 54나노 생산 준비가 계획대로 잘 이뤄지고 있다”며 “올해 들어가는 54나노 공정은 66나노 공정과 거의 차이가 없어 수율 문제가 크지 않을 것으로 기대한다”고 밝혔다. 하이닉스는 올 3ㆍ4분기 54나노 D램 생산을 시작할 계획이다.
회사의 한 관계자는 “과거 80나노급 공정에서 삼성전자에 비해 기술개발과 양산은 늦었지만 수율에서 삼성전자를 추월한 경험이 있다”며 “54나노 공정 가동은 삼성전자에 비해 1분기 정도밖에 늦지 않을 것”이라고 말했다.
이와 함께 김 사장은 “200㎜ 웨이퍼 팹의 범용 반도체 생산을 중단해 300㎜ 생산 비중을 오는 2012년까지 95％ 수준으로 확대할 계획”이라고 설명했다. 하이닉스는 원가경쟁력이 떨어지고 있는 200㎜ 라인을 300㎜ 팹으로 활용하거나 매각하는 방안을 추진하고 있다.
김 사장은 또 “수익성을 높이기 위해 지난해 전체 매출에서 1％ 정도였던 모바일 D램 생산을 올해에는 3~9％까지 늘릴 것”이라며 “D램은 3ㆍ4분기에 가격이 반등될 것으로 보고 있지만 낸드플래시는 그때 반등할지에 대한 전망이 엇갈리고 있다”고 내다봤다.
하이닉스가 하반기 투자를 최대 1조원가량 축소할 것이라는 전망에 대해 그는 “지난해에도 9개월 동안 사업계획을 10차례나 변경할 정도로 경영 상황에 따라 투자는 얼마든지 늘 수도 있고 줄어들 수도 있다”며 “하반기 투자도 상황에 맞춰 융통성 있게 조절할 계획”이라고 설명했다. 이와 함께 프로모스 기술이전 문제와 관련, 김 사장은 “협상이 잘 진행되고 있다”며 긍정적인 반응을 보였다.
한편 이날 하이닉스는 주총에서 정홍원 법무법인 로고스 상임고문 변호사, 최장봉 전 예금보험공사 사장, 홍형표 전 외환은행 본부장, 백경훈 우리은행 전 본부장 등을 사외이사로 신규 선임했다.
