15일 현대전자(대표 김영환·金榮煥)는 회로선폭 0.22미크론(1백만분의 1㎙)급의 공정기술을 적용, 2.5볼트의 저전압으로 작동이 가능한 차세대 반도체인 64메가 DDR 싱크로너스 D램 시제품을 출시했다고 밝혔다.이번에 개발된 DDR 싱크로너스 D램은 286, 333, 366 ㎒ 등의 속도로 데이터를 처리할 수 있어 기존의 200㎒대 싱크로너스 D램에 비해 83% 이상 속도가 빨라졌다.
현대전자 관계자는 『64메가 DDR 싱크로너스 D램은 주로 컴퓨터 그래픽용으로 사용되며 네트워크 등 여타 분야에도 적용이 가능해 차세대 메모리 반도체로 주목받고 있다』며 『현재 시제품 가격이 개당 21달러 선이지만 양산에 들어갈 2.4분기에는 15.5 달러선에 형성될 것』으로 예상했다.
DDR 싱크로너스 D램은 클릭신호(명령이 들어가거나 데이터가 나올 때 기준이 되는 신호) 한 번에 데이터를 2번 전송하는 방식이어서 기존의 D램 반도체에 비해 데이터 전송속도가 우수하다.
김형기기자KKIM@SED.CO.KR
