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미국 마이크론테크놀로지가 20나노 미세화 공정을 적용한 D램 메모리 반도체 생산량을 늘리기 위해 1조원을 투자한다. D램 분야 1·2위인 삼성전자와 SK하이닉스를 추격하기 위해 시동을 건 셈이다.
11일 업계와 외신에 따르면 마이크론은 일본 히로시마 공장에 1,000억엔(약 9,500억원)을 투자해 내년 8월까지 모바일용 D램 칩 생산량을 20% 늘릴 예정이다.
히로시마 공장은 마이크론이 지난해 합병한 일본 반도체업체 엘피다의 생산기지다. 마이크론은 생산라인 신설이 아니라 반도체 칩의 회로선폭을 기존 30~25nm(1nm는 10억분의1m)에서 20나노로 줄이는 '공정전환'을 통해 증산목표를 달성할 것으로 보인다. 회로선폭이 25나노에서 20나노로 줄어들면 1장의 웨이퍼(반도체 칩을 만드는 원판)에서 얻는 칩 생산량이 20% 늘어난다. 또 이 같은 공정 미세화가 진행될수록 칩의 크기는 작아지면서도 전력소비량은 감소하고 처리속도는 훨씬 빨라지는 장점도 있다.
D램 메모리반도체 분야에서 삼성전자와 SK하이닉스에 이어 3위를 달리고 있는 마이크론은 미세공정 전환 속도가 가장 늦다. 삼성전자는 올 3월부터 PC용 D램을, 지난 9월에는 모바일 D램을 20나노 공정으로 양산하고 있고 SK하이닉스도 내년 상반기를 목표로 20나노 D램 공정 전환을 서두르고 있다. 삼성전자 관계자는 "이미 모바일·PC·서버를 아우르는 전 부문에서 20나노 D램 양산하고 있어 아직 여유가 있다"고 말했다.
