D램 반도체나 하드디스크 등 컴퓨터의 기억매체를 대신할 차세대 반도체가 국내에서 개발됐다.한국과학기술연구원(KIST·원장 박원훈)은 정보전자연구부 김룡태 박사팀이 지난 95년 1월부터 1억원을 들여 F램의 단위소자(비파괴 판독형 불휘발성 트랜지스터)를 개발했다고 23일 발표했다.
F램은 한번 저장된 정보는 전원을 제거해도 10년이상 지워지지 않으며 D램처럼 저장용량을 극대화시킬 수 있어 하드디스크와 D램 반도체의 장점을 결합한 차세대 반도체 소자로 각광받고 있다.
이 소자는 한 개의 트랜지스터만을 이용하기 때문에 F램의 구조를 간단하게 만들 수 있으며 정보를 1백억번 이상 반복해서 쓰고 읽을 수 있다. 또 기존 제품보다 정보저장 및 검색 속도가 빠르며 피로현상이 없어 수명이 긴 점이 특징이다.
특히 기존 제품이 12V의 높은 전압에서 작동하는데 비해 이 소자는 3∼5V의 낮은 전압에서도 작동해 노트북에 사용되면 배터리의 크기를 크게 줄일 수 있을 것으로 보인다.
김박사는 『이 소자를 이용해 F램을 개발하면 앞으로 하드디스크 등을 대체할 뿐 아니라 휴대폰, IC카드 등에도 폭넓게 사용될 수 있다』며 『5년뒤에는 상용제품이 나올 수 있을 것』이라고 기대했다. KIST는 국내외에 관련 특허를 국내외에 출원했다.<김상연 기자>
