94년 세계최초 256메가 D램 개발'미스터 메모리'.
이 한마디로 20년 넘게 반도체를 공부하고 연구해온 황창규 사장을 표현할 수 있다. 황 사장은 서울대 전기공학과와 대학원를 졸업하고 해군사관학교 교관으로 병역을 마친뒤 미국으로 건너갔다.
매사츄세츠대(MIT)에서 초고속 PBT디바이스 디자인을 공부하고 스탠포드대에서 연구원으로 활동하면서 반도체 기초기술분야를 집중 연구했다.
그는 86~89년 미국 휴렛패커드와 인텔의 자문역으로 일하면서 미국ㆍ일본 기업들과 힘겹게 경쟁하면서도 급속히 성장하는 한국 반도체 업체들을 보고 크게 감명을 받았고 이것이 계기가 돼 89년 삼성전자 반도체연구소 디바이스 기술개발팀에 입사했다.
그는 전공이자 반도체 기술의 가장 기초가 되는 디바이스 분야에 매달렸다. 그 결과 64메가 D램 개발을 앞당긴데 이어 94년 세계최초로 256메가 D램을 개발, 세상을 깜짝 놀라게 만들었다.
특히 256메가 D램 개발은 1기가 시대로 연결되는 기술의 연장이라는 점에서 한국 반도체산업의 미래를 여는 발판을 만든 것이다.
96년 마침내 0.18미크론급 1기가 D램을 개발해냈고 98년 0.13미크론급 2세대 1기가 D램을 개발, 삼성전자를 세계1위 기업으로 만드는데 속도를 더했다.
그는 입사 11년만인 지난해 메모리사업부 대표(부사장)에 오른데 이어 올해초 사장으로 승진했다. 그가 메모리사업부를 맡자마자 사상최대의 흑자를 기록, 행운의 사나이로 떠올랐으며 올해 최악의 불황에서도 제품다양화를 통해 적자폭을 최소화하는 능력을 발휘하고 있다.
황 사장은 국제학회와 대학특강, 세미나등에도 부지런히 참석한다. 기술변화에 뒤떨어지지 않기 위해서다.
이런 노력과 열정이 그를 세계에서 가장 많이 인용되는 논문을 쓴 장본인으로 만들었다. 내년초 미국 샌프란시스코에서 열리는 반도체관련 최고권위의 학회인 국제고체회로학회(ISSCC)에 한국기업인으로는 처음 기조연설자로 초청된 것은 그의 실력을 말해주는 대목이다.
◆ 약력
▲ 43년 부산출생 ▲ 서울대 전기공학과ㆍ대학원 ▲ 미국 매사츄세츠대 박사 ▲ 스탠포드대 책임연구원 ▲ 인텔사 자문 ▲ 삼성전자 디바이스 개발팀장ㆍ반도체연구소장 ▲ 삼성전자 메모리사업부 사장
