세계 주요반도체 업체들의 차세대 반도체 기술개발 경쟁이 갈수록 치열해 지고 있다.
삼성전자는 하이닉스, 인피니온, ST마이크로 등이 P램(상변화 메모리)과 F램(강유전메모리), M램(강자성메모리) 등 신(新)소재를 활용한 기술개발에 잇따라 나서고 있는 가운데 가장 먼저 ‘64메가비트 P램’ 개발에 성공했다고 19일 밝혔다.
독자 기술인 ‘화학적 확산처리 기술’을 적용해 64메가비트 P램(Phase Change RAM) 기술 및 시제품 개발에 성공했다. 64Mb P램은 지금까지 나온 차세대 메모리 중 최대 용량으로 고집적화에 어려움이 있었던 차세대 메모리의 한계를 극복한 획기적 제품이라고 삼성전자는 설명했다.
이 제품은 기존 설비로도 제조할 수 있고 제조공정도 종전의 메모리 반도체보다 단순해 원가경쟁력이 우수하며, ▦2.5V 저전압 동작 ▦쓰기속도 120나노초(ns) 및 읽기속도 60ns ▦플래시메모리 대비 1,000배 이상의 내구성 ▦85도의 고온에서 2년 이상 데이터보존 등의 특성을 갖고 있다.
삼성전자 관계자는 “64메가 P램을 첫 개발함에 따라 D램과 S램, 플래시메모리에 이어 차세대 메모리 시장에서도 선두위치를 고수할 있게 됐다”고 말했다. 삼성전자는 앞으로 제품의 신뢰성과 특성 개선작업을 벌여 오는 2006년쯤 상용화를 추진할 계획이다.
ST마이크로와 인텔 등의 추격도 만만치 않다. ST마이크로는 최근 8메가비트 P램 개발에 성공했다고 밝혔으며, 인피니온과 IBM은 지난 6월 수년간의 공동연구를 통해 16메가비트 M램을 개발했다고 발표했다.
인피니온측은 “16메가 M램은 최초의 정보데이터를 기록하는데 걸리는 시간이 일반 플래시 메모리에 비해 약 100만배 빨라 차세대 메모리의 주력으로 자리잡을 것”이라고 밝혔다. 하이닉스는 지난해 8메가 F램 샘플을 개발한 데 이어 메모리 연구소를 중심으로 차세대 메모리 기술개발에 적극 나서고 있다.
