8일 현대전자(대표 김영환·金榮煥) 메모리연구소는 최근 회로선폭 0.15미크론의 공정 기술을 적용해 차세대 256메가 싱크로너스D램 반도체 상용제품을 개발했다고 밝혔다.현대전자의 차세대 싱크로너스 D램반도체는 외부전압 3.3볼트로 구동이 되며 데이터 처리 속도가 166메가헤르츠의 초고속이고 한꺼번에 원고지 8만4,000장 분량의 데이터를 저장할 수 있어 현재 시판 중인 인텔사의 모든 중앙연산처리장치(CPU)를 지원할 수 있는 것은 물론 중대형 컴퓨터, 워크스테이션, PC, 그래픽용 시스템에도 적용이 가능하다.
메모리연구소 고요환(高堯煥) 박사는 『반도체 웨이퍼 가공기술은 시험제작단계에서 0.11미크론까지 가능하지만 양산기술로 적용되는 것은 0.18미크론 수준이어서 이번 현대전자가 0.15미크론 기술을 양산체제에 적용하는 것은 세계에서 처음』이라고 밝혔다.
그는 또 『이번에 적용한 웨이퍼 가공기술은 기존의 가공 기술을 좀더 발전시킨 것이어서 별도의 생산설비나 신규 투자가 필요하지 않다』며 『기존의 반도체에 비해 칩 크기를 40%정도 줄일 수 있으며 웨이퍼 한장당 칩의 갯수를 70%정도 향상시킬 수 있다』고 말했다.
현대전자는 이번에 개발된 차세대 싱크로너스 D램반도체를 내년 3월부터 양산에 나서 워크스테이션이나 고성능 서버시장을 우선 공략할 방침이다.
현대전자는 또 이 기술을 기존의 64메가 및 128메가D램에도 적용시켜 내년중 양산할 예정이다.
김형기기자KKIM@SED.CO.KR
