삼성전자는 업계 처음으로 0.11㎛급 초미세 공정기술을 적용한 32메가 저전력(Low Power) S램을 개발했다고 31일 발표했다.삼성전자는 인터넷접속과 동영상 전송을 요구하는 IMT-2000용 핸드폰에 적합한 이 제품 개발로 경쟁사보다 기술수준에서 6개월 이상 앞서게 됐다고 밝혔다.
또 초미세 공정기술을 통해 소형화 추세인 첨단 이동통신제품에 적합하도록 칩 크기를 33% 축소하고 생산성도 50% 이상 향상시킬 수 있게 됐다고 설명했다.
삼성전자는 이번 S램 개발로 1세대 아날로그 휴대폰과 2세대, 2.5세대 디지털휴대폰에 이어 3세대 IMT-2000용 S램 시장까지도 선점할 수 있게 돼 95년부터 지켜온 S램 반도체 1위의 위상을 8년째 유지할 것으로 기대된다고 밝혔다.
삼성전자는 0.11㎛급 초미세 공정기술을 32메가 뿐 아니라 16메가와 8메가 제품에도 확대 적용, 2002년 하반기부터 본격적인 양산에 들어갈 예정이다.
조영주기자
