지난해 90나노 공정을 적용한 512메가비트(Mb) D램을 생산하면서 본격적인 나노 D램 시대를 열었던 삼성전자가 이번에는 90나노 공정을 기가(Giga)급 D램에도 적용하기 시작했다.
23일 삼성전자는 세계 최초로 90나노(1나노=10억 분의 1ｍ, 사람 머리카락 굵기의 10만분의 1) 공정을 적용한 1Gb DDR2 D램(사진)의 양산에 본격 돌입했다고 밝혔다.
90나노 공정은 기존의 0.11㎛(미크론)급 공정에 비해 생산성을 약 40% 높일 수 있는 최첨단 메모리 미세공정 기술이다.
삼성전자 관계자는 “삼성전자는 이미 90나노 공정을 적용하고 있는 ▦512Mb DDR ▦512Mb DDR2 및 ▦512Mb그래픽 DDR3에 이어 1기가급 D램에도 90나노 공정을 적용함으로써 차세대 나노급 D램 시장에서 후발 업체와의 격차를 더 벌릴 수 있게 됐다”고 말했다. 그는 “이번에 양산에 들어간 제품은 90나노 공정을 적용한 1Gb D램으로는 최초로 인텔의 인증도 획득했다”고 덧붙였다.
삼성전자는 올 연말까지 이 제품의 생산규모를 월 100만개로 끌어올린 뒤 지속적으로 생산량을 늘려나갈 방침이며 90나노 공정의 비중도 올 연말에는 40%로 확대할 계획이다.
한편 반도체 시장조사 전문기관인 데이터퀘스트에 따르면 올해부터 D램 시장은 기존 256Mb D램에서 512Mb D램으로 전환이 이뤄지면서 본격적 대용량 D램 시대를 맞이할 전망이다. 특히 1Gb 이상 기가급 D램도 점차 늘어나 2008년에는 시장규모가 170억달러로 늘어나면서 주력 메모리 제품이 될 것으로 예상된다.
