국내 연구진이 휴대폰의 성능을 획기적으로 높일 수 있는 반도체(플래시메모리) 원천기술을 세계 처음으로 개발했다.
서울대 전기컴퓨터공학부 박병국 교수팀은 32GB(기가바이트)급 대용량 데이터를 기존 기술보다 10배 이상 빠르게 처리할 수 있는 원뿔 구조의 '노어(NOR)플래시 소자'를 개발하는 데 성공했다고 20일 밝혔다.
전원이 꺼지면 정보가 사라지는 D램과 달리 전원이 꺼진 상태에서도 정보를 저장할 수 있는 플래시메모리는 회로 형태에 따라 '낸드(NAND)'와 노어로 나뉜다. 낸드플래시는 구조가 단순해 고집적ㆍ대용량화에 유리하기 때문에 디지털카메라나 MP3플레이어에 주로 쓰이며 노어플래시 메모리는 정보 처리 속도가 빨라 휴대폰에 많이 이용된다.
기존의 노어플래시 메모리는 평면형이어서 정보를 기록하고 삭제할 때 전자효율이 낮아 정보기록 속도가 느리고 구조가 복잡해 집적화 효율이 낮다는 단점이 있다.
연구팀은 노어플래시 메모리의 채널을 원뿔형으로 만들어 기존 평면형보다 전자가 이동하는 거리를 늘림으로써 전자가속 거리를 늘려 정보 기록과 삭제 효율을 획기적으로 향상시켰다. 원뿔형은 평면형 보다 면적이 5분의1로 줄어들어 집적도를 낸드플래시 메모리 수준까지 올릴 수 있게 됐다.
박 교수는 "이번에 개발된 기술인 원뿔구조가 기존의 평면구조를 대체할 수 있어 현재 노어플래시 메모리 시장을 주도하는 인텔을 뛰어넘을 만한 경쟁력을 확보하게 됐다"고 말했다.
