삼성전자가 조만간 0.15마이크론급 이하의 기술을 적용한 저부가 반도체 생산을 전면 중단한다. 또 나노(1나노=10억분의1m) 반도체를 포함한 0.11마이크론 이하의 첨단 미세공정기술 제품의 생산비중을 연내 70%까지 끌어 올리기로 했다.
19일 삼성전자 관계자는 “지난해 사상 최대 실적을 낸 원인이 제품의 고부가가치를 통한 차별화에 있다고 보고 제품의 생산 포트폴리오를 바꿀 방침”이라고 밝혔다.
삼성은 포트폴리오 변경에 따라 우선 현재 메모리 반도체 생산의 24%와 2%를 각각 점유중인 0.15마이크론급 및 0.18마이크론급 공정을 적용한 제품 생산을 완전 중단할 방침이다.
삼성은 이들 제품의 생산라인에 1조원 이상을 투자해 업그레이드를 단행하고, 일부는 플래시메모리 생산라인으로 전환할 계획이다. 이와 함께 생산의 주력 기술인 0.13마이크론 미세공정 제품도 1월 현재 73%에서 연말까지 30% 수준으로 낮추기로 했다.
삼성은 대신 현재 1%에 머물고 있는 0.11마이크론급 이하의 초미세 기술 적용 제품의 비중을 연말 70%까지 확대시킬 예정이다. 지난해 나노기술을 적용, 세계 최초로 시생산에 성공한 2기가급 NAND형 제품이 초미세 제품의 핵심이 될 전망이다.
이를 통해 월 30만개 수준인 512메가 S램과 DDR(더블데이터레이트)의 생산량을 연말까지 월 1,000만개로 늘리는 한편, 시장규모가 큰 폭으로 확대되는 플래시메모리는 NAND(데이터저장형)를 지난해보다 133% 증산하고 NOR(코드 저장형)는 작년 300만개에서 500만개로 생산량을 키우기로 했다.
이 관계자는 “삼성이 올해에도 메모리반도체 시장의 절대 강자 자리를 지키기 위해서는 첨단 미세공정 기술을 얼마나 잘 활용하느냐가 핵심”이라며 “반도체 부분에만 올해 5조원을 쏟아 붓기로 한 것도 같은 맥락”이라고 설명했다.
<김영기기자 young@sed.co.kr>
