삼성전자 10나노급 8기가비트 D램삼성전자가 반도체 미세 기술의 한계를 다시 한번 극복했다. 세계 최초로 ‘10나노급 D램 시대’를 연 것이다.
삼성전자는 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(㎚, 1㎚: 10억 분의 1ｍ) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 5일 밝혔다. 지난 2014년 2월 당시 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 삼성전자는 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한 번 메모리 기술의 이정표를 세웠다. 1나노는 10억분의 1미터를 의미하며 반도체 회로 선폭을 나타내는 단위로, 숫자가 낮을수록 생산성이 높고 처리속도가 빨라진다. 현재 경쟁업체들은 대부분 25~30나노 수준의 제품을 선보이고 있으며 최근 20나노대 초반 제품 양산을 시작하는 추세다.
이번 삼성전자 10나노 제품에는 ‘초고집적 설계 기술’과 ‘사중 포토 노광 기술(Quadruple Patterning Technique)’, ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등 삼성전자가 독자적으로 개발한 3가지 혁신 기술이 적용됐다. 이에 따라 차세대 극자외선(EUV) 노광장비를 도입하지 않아도 10나노급 D램을 양산할 수 있게 돼 제조 경쟁력을 더욱 높일 수 있게 됐다.
우선 ‘초고집적 설계 기술’을 통해 삼성전자 10나노 제품은 기존 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다. 10나노급 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작 속도가 30% 이상 빠른 3,200Mbps를 구현할 수 있으며, 동작 상태에 따라 소비전력도 10∼20% 절감할 수 있다.
이번 제품에서 삼성전자는 낸드플래시 양산에 적용하는 ‘사중 포토 노광 기술’도 업계 최초로 D램에 구현했다. ‘사중 포토 노광 기술은’ 단 한 번의 포토 공정으로 초미세 패턴을 네 배 많이 만들어낼 수 있는 기술로 주로 낸드플래시 양산에 적용돼왔지만, 삼성전자는 미세공정의 한계를 극복하기 위해 업계 최초로 이 기술을 D램 공정에 구현했다. 또한 삼성전자는 10나노급 D램에 업계 최초로 ‘초균일 유전막 형성 기술’을 적용해 종전 제품보다 한층 향상된 성능을 갖추면서도 안정적으로 작동할 수 있게 했다.
삼성전자는 올해 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC·서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 계속 선점하겠다는 전략이다. 전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램을 출시해 모바일 시장 선도 기업들이 글로벌 소비자의 편의를 높이는 데 기여하겠다”고 말했다.
한편 삼성전자는 지난 2009년 40나노급 D램을 세계 최초로 양산한 후 2010년에는 30나노급, 2011년 20나노급 D램을 세계 최초로 양산하는 등 8년간 세계 최초 행진을 이어가고 있다.
