삼성전자는 이달 평택캠퍼스 2공장(P2)에 EUV 공정 기반의 파운드리 라인 공사에 착수했으며 내년 하반기부터 본격 가동할 예정이라고 21일 밝혔다. 이재용 삼성전자 부회장은 이번 투자와 관련해 “어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”고 강조했다. 특히 이번 투자는 최근 반도체를 둘러싼 미중 갈등 재점화로 업계의 불확실성이 커진 가운데 이뤄져 관심을 끈다.
삼성전자는 지난해 4월 ‘반도체 비전 2030’을 발표한 뒤 메모리반도체에 이어 시스템반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부전략을 실행하고 있다. 올 2월 화성캠퍼스에 EUV 전용 ‘V1’ 라인을 가동한 데 이어 평택에 두 번째 EUV 파운드리 라인을 구축해 모바일·고성능컴퓨팅(HPC)·인공지능(AI) 등 다양한 분야에서 초미세 공정 기술의 경쟁력을 강화하고 있다.
삼성전자는 지난 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 제품 양산을 시작한 후 지난해 하반기 6나노 양산을 거쳐 올 하반기 5나노 양산을 목표로 하고 있다. 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올 하반기 화성에서 먼저 양산한 뒤 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다. 화성 V1 라인에 이어 내년 하반기 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세공정 기반 제품의 생산규모가 가파르게 늘 것으로 전망된다.
정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산규모를 확대해 EUV 기반 초미세시장 수요 증가에 적극 대응해나갈 것”이라며 “전략적 투자와 지속적인 인력채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나가겠다”고 밝혔다.
삼성전자가 경기 평택캠퍼스에 10조원을 투자해 극자외선(EUV) 기반 최첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 라인을 구축한다. 오는 2030년까지 글로벌 시스템반도체 시장 1위에 오른다는 ‘반도체 비전 2030’ 달성을 위해 승부수를 던진 것으로 풀이된다. ★관련기사 4면, 본지 5월15일자 13면 참조
삼성전자는 이달 평택캠퍼스 2공장(P2)에 EUV 공정 기반의 파운드리 라인 공사에 착수했으며 내년 하반기부터 본격 가동할 예정이라고 21일 밝혔다. 이재용 삼성전자 부회장은 이번 투자와 관련해 “어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”고 강조했다. 특히 이번 투자는 최근 반도체를 둘러싼 미중 갈등 재점화로 업계의 불확실성이 커진 가운데 이뤄져 관심을 끈다.
삼성전자는 지난해 4월 ‘반도체 비전 2030’을 발표한 뒤 메모리반도체에 이어 시스템반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부전략을 실행하고 있다. 올 2월 화성캠퍼스에 EUV 전용 ‘V1’ 라인을 가동한 데 이어 평택에 두 번째 EUV 파운드리 라인을 구축해 모바일·고성능컴퓨팅(HPC)·인공지능(AI) 등 다양한 분야에서 초미세 공정 기술의 경쟁력을 강화하고 있다.
삼성전자는 지난 2019년 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 제품 양산을 시작한 후 지난해 하반기 6나노 양산을 거쳐 올 하반기 5나노 양산을 목표로 하고 있다. 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올 하반기 화성에서 먼저 양산한 뒤 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다. 화성 V1 라인에 이어 내년 하반기 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세공정 기반 제품의 생산규모가 가파르게 늘 것으로 전망된다.
정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산규모를 확대해 EUV 기반 초미세시장 수요 증가에 적극 대응해나갈 것”이라며 “전략적 투자와 지속적인 인력채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나가겠다”고 밝혔다.
이재용 삼성전자 부회장./사진제공=삼성전자“어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다.”
이재용 삼성전자 부회장은 삼성전자가 21일 경기 화성에 이어 평택에 두 번째 극자외선(EUV) 파운드리(반도체 위탁생산) 라인 구축을 발표한 것과 관련해 이같이 강조했다.
삼성전자가 미중 갈등 고조, 신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 등으로 경영 불확실성이 커진 가운데서도 평택 반도체 2공장에 10조원 가까이 대규모 투자를 단행한 데는 위기 속에서도 과감한 투자를 통해 ‘초격차 실력’을 확보하겠다는 이 부회장의 의지가 담겨 있다.
이번 평택 EUV 파운드리 투자는 지난해 4월 이 부회장이 발표한 ‘반도체 비전 2030’의 후속 조치다. 삼성전자는 평택 EUV 파운드리 투자로 경기 기흥·화성과 미국 오스틴에 이어 파운드리 4각 편대를 구축하게 됐다. 이를 통해 코로나19 확산으로 더욱 빨라질 5세대(5G) 통신, 고성능 컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI), 네트워크 등 신규 응용처 확산 수요에 대응할 계획이다. 삼성전자는 특히 고부가가치의 프리미엄 모바일 칩(AP)을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해나간다는 전략이다.
메모리반도체 주력 생산기지였던 평택캠퍼스 제2공장(P2)에 들어서는 EUV 파운드리는 5나노 이하 핵심기지로 활용된다. 삼성전자는 이를 통해 절반이 넘는 점유율로 파운드리 업계 1위를 차지하고 있는 대만 TSMC를 바짝 추격하겠다는 복안이다.
7나노 이하 초미세 공정 기술을 보유하고 있는 파운드리 기업은 전 세계에서 삼성전자와 대만 TSMC 두 곳뿐이다. 20% 미만의 점유율에 정체돼 있는 삼성전자가 TSMC의 대형 고객사 물량을 받아오기 위해서는 대형 고객사 확보가 필수다. 파운드리 업계에서는 5나노 공정을 향후 대형 고객사 물량 수주 성패를 가를 주요 요인으로 보고 있다. 올해 5나노 공정 생산에 돌입한 TSMC는 2나노 공정도 개발하고 있다. 또 최근 미국에 5나노 파운드리 공장 설립을 발표하며 현지 고객사 확보 경쟁은 더욱 치열해질 것으로 전망된다.
삼성전자는 생산성을 높인 5나노 공정으로 만든 제품을 올 하반기 화성 V1에서 먼저 양산하고 내년 하반기 평택 파운드리 라인이 완공되면 평택에서도 주력 생산할 예정이다. 삼성전자는 지난해 경기도 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작했고 지난 2월에는 경기도 화성에 EUV 전용 라인인 V1을 본격 가동했다. V1 라인 가동으로 삼성전자는 7나노 이하 제품 생산량이 올해 말 기준으로 지난해보다 세 배 이상 늘어날 예정이다. 실제로 삼성전자 파운드리는 무서운 성장세를 보이고 있다. 1·4분기 시스템반도체 매출은 4조5,000억원으로 역대 최고치를 기록했다. 전체 반도체 매출에서 차지하는 비중도 25%를 처음 넘어섰다. 여기에 올해 대형 고객사 중 하나인 퀄컴의 5G 통신 모뎀칩 생산 계약을 따내기도 했다.
업계에서는 내년 말 평택 P2 파운드리 라인 본격 가동을 삼성전자의 파운드리 사업이 도약하는 모멘텀이 될 것으로 본다. 업계에 따르면 삼성의 P2 파운드리 라인 구축에 드는 설비투자 금액은 약 10조원으로 이는 경기도 화성 EUV 전용 V1의 초기 투자금액인 7조원을 뛰어넘는다. 생산량도 V1보다 많을 것으로 예측된다. 또 평택은 화성에 비해 부지에 여유가 있어 향후 메모리·비메모리를 아우르는 반도체 전략 생산기지로 활약할 것으로 보인다. 올 하반기 5나노 공정 생산을 시작으로 오는 2022년 양산할 것으로 예상되는 3나노 이하 등 초미세 공정 개발에 활용될 가능성도 점쳐진다. 평택캠퍼스에는 아직 활용되지 않은 제3·4공장 부지가 남아 있다.
삼성전자의 이번 투자는 최근 TSMC가 미국에 120억달러(약 15조원)를 투자해 5나노 공정 파운드리 공장을 짓겠다고 나선데다 시스템반도체 1위인 인텔이 파운드리 시장 본격 진출을 저울질하고 있는 상황에서 이뤄져 더욱 주목받고 있다. 삼성이 미국과 중국이 아닌 국내에 투자한 것을 두고 재계에서는 이 부회장이 최근 대국민 사과를 통해 밝힌 ‘뉴 삼성’ 선언과 궤를 같이한다고 보고 있다. 이 부회장은 과거의 잘못을 단절하고 대한민국의 국격에 어울리는 새로운 삼성을 만들겠다고 선언했다. 재계 관계자는 “글로벌 불확실성이 높아지고 있는 가운데 삼성이 국내에 투자한 것은 2018년 180조원을 투자해 4만명을 직접 고용하겠다는 약속을 지키기 위한 행보로도 해석된다”고 말했다.
