美 마이크론, 삼성·SK하이닉스 '맹추격'…232단 낸드·1b D램 연내 양산

미국 마이크론이 국내 업체가 주도권을 잡고 있는 메모리 반도체 기술력을 빠르게 추격하고 있다. 올해 안에 232단 낸드, 10나노 5세대급(1b) D램 양산에 돌입하겠다는 계획이다. 세계 메모리 시장 독보적 선두인 삼성전자보다 먼저 구체적인 차세대 메모리 양산 계획을 발표한 점이 눈에 띈다.

12일(현지 시간) D램 3위 업체 마이크론은 ‘인베스터 데이 2022’를 개최하고 차세대 메모리 로드맵을 발표했다.

이날 마이크론 발표에서 주목할 포인트 1b D램을 올해 말에 생산하겠다고 밝힌 것이다. 이르면 상반기 내 제품 개발을 마무리 짓고, 하반기 생산 라인으로 이관해 수율 확대에 나설 가능성이 높다.



삼성전자, SK하이닉스 등이 D램 공정에 도입한 극자외선(EUV) 공정 없이도 1b D램을 양산할 수 있다고 밝힌 점도 큰 차이다. 회사 측은 10나노급 6세대(1γ·감마) D램이 생산되는 2024년 경 EUV 공정을 도입한다고 설명했다. 차세대 EUV인 '하이-NA'와 미래 D램 구조로 각광받는 3D D램 연구도 박차를 가하고 있다고도 덧붙였다.

차세대 낸드플래시 양산 시점도 밝혔다. 마이크론은 올해 말 232단 낸드플래시 메모리를 양산한다고 전했다. 두번으로 나눠서 만드는 '더블 스택' 공정으로 만들어진다. 주변 회로를 저장 공간 아래 배치해 칩 면적 축소를 노리는 'CuA(CMOS Under Array)' 기술도 탑재됐다.





이번 마이크론의 발표는 세계 1, 2위 메모리 업체인 삼성전자와 SK하이닉스 기술을 ‘맹추격'하겠다는 의지를 담은 것으로 해석된다.

마이크론은 세계 반도체 회사 중 삼성전자, 인텔, SK하이닉스에 이은 4위 업체다. D램은 70% 점유율로 세계 시장을 압도하고 있는 삼성전자, SK하이닉스에 이은 3위를 기록하고 있다. 낸드플래시는 5위권이다.

앞서 마이크론은 지난해 10나노급 4세대(1a) D램, 176단 낸드플래시 메모리를 세계에서 처음으로 양산하며 국내 반도체 업계를 긴장시켰다. 차세대 제품 양산이 역전된 경우는 상당히 이례적이었기에, 당시 국내 반도체 회사와 경쟁사 간 '초격차'가 크게 좁혀졌다는 우려가 나왔다.

올해에도 이들의 도전은 계속되고 있다. 특히 삼성전자와 SK하이닉스보다 먼저 차기 메모리 양산 시점을 발표한 점이 주목된다.

삼성전자는 지난달 열린 1분기 실적 발표회에서 1b D램 격인 '12나노' D램 개발 지연 루머에 대해 문제가 없다고 언급했다. SK하이닉스도 차기 낸드 제품인 238단 칩 연구를 순조롭게 진행 중이라고 설명했다. 하지만 기술 난도와 연구 계획 변화를 고려해 양산 시점을 공식적으로 발표한 업체는 없었다. 반면 마이크론은 구체적인 시점을 언급하며 자신감을 드러낸 것이 관전 포인트다.

이에 따라 기존 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하던 메모리 시장 기술 판도가 향후 어떻게 바뀔 것인지에 대한 업계의 관심이 집중되고 있다.

업계 관계자는 “반도체 회로 설계가 한계에 다다르면서 경쟁사 간 기술 격차도 점차 좁아지고 있다”며 “공급망 문제가 심화하는 만큼 기술 패권 다툼도 치열하게 전개될 것”이라고 밝혔다.