한국, D램 나노 경쟁 '종결자'

한국 반도체가 수십 년간 지속된 글로벌 업체 간 D램 나노 경쟁에 쐐기를 박는 시점을 눈앞에 두고 있다. 나노란 미세공정의 일환으로 80나노ㆍ60나노 등 나노가 낮아질수록 원가, 제품 수율 등 여러 면에서 경쟁력이 확보된다. 이렇다 보니 삼성전자와 하이닉스반도체 등 국내 업체는 물론 해외 반도체 업계도 D램 제품의 나노를 미세화하는 데 주력해왔다. 25일 관련 업계에 따르면 삼성전자와 하이닉스의 30나노 D램 제품이 올해 말쯤 대량 양산체제에 들어서면 미세 경쟁에서 해외 업체가 따라오기 힘들 것으로 보인다. 삼성전자는 지난해 하반기부터 30나노를 적용한 DDR3 제품을 양산하고 있다. 하이닉스반도체도 올 1ㆍ4분기부터 30나노급 DDR3 양산에 착수했다. 한국 양대 반도체 업체는 현재 40나노 D램 제품을 주력으로 하고 있는데 올해 말까지 30나노 제품 비중을 최소한 절반 이상 끌어올릴 계획이다. 업계의 한 관계자는 "올해 말쯤 되면 한국 D램 반도체 주력제품이 40나노에서 30나노로 옮겨가게 된다"며 "내년부터는 한국 D램 반도체의 30나노 시대가 본격적으로 열리게 된다"고 말했다. 30나노의 D램 시대 개막은 여러 의미를 갖는다. 세계 D램 반도체 업계의 경우 한국이 먼저 나노 세대를 낮추면 1년 정도 시차를 두고 해외 경쟁업체가 따라오는 구조였다. 한국 반도체 업계가 40나노를 양산하면 1년 뒤 해외 반도체 회사가 40나노 제품을 선보이는 구조다. D램 반도체의 나노 미세경쟁에서 한국 기업과 해외 기업 간에는 1년 정도 시차가 있는데 30나노에서는 사정이 달라진다. 해외 반도체 업체는 현재 D램 제품의 주력 세대가 50나노(한국은 40나노)다. 아직 40나노에서 대량 양산체제를 갖추지 못했다. 또 30나노는 사실상 현재의 장비와 물질로 최대한 낮출 수 있는 마지노선으로 알려져 있다. 낸드는 30나노가 쉽지만 D램은 여러 기술이 필요해 30나노 제품을 양산하는 것이 쉽지 않다고 전문가들은 설명했다. 이렇다 보니 30나노 D램 제품을 안정적으로 양산하는 기술은 현재 삼성전자와 하이닉스반도체 등 국내 업체 두 곳밖에 없다. 반도체협회의 한 관계자는 "50나노에서 40나노로 옮겨가는 것은 어렵지 않다"며 "하지만 40나노에서 30나노로 가는 것은 만만치 않다"고 말했다. 이 관계자는 "해외 업체가 30나노 D램 제품을 개발하고 안정적으로 양산하는 데는 수많은 난관이 있을 수밖에 없다"며 "공정이 어렵다 보니 일부 해외 경쟁업체는 30나노 D램 개발을 포기하고 모바일 등 다른 제품에 초점을 맞출 가능성도 적지 않다"고 덧붙였다. 반도체 업계의 한 관계자는 "우리 반도체 업계는 D램 반도체 주력상품을 올해는 40나노에서 30나노로 순차적으로 옮겨가고 내년에는 30나노를 대표 주자로 내세운다는 전략"이라며 "계획대로 이뤄지면 수십 년간 지속된 나노 경쟁에서 확실한 승기를 잡을 수 있을 것으로 보인다"고 말했다.