한국표준과학연구원의 정광화 박사팀은 반도체 제조공정인 플라즈마 화학증착이나 식각공정에서 발생하는 나노미터 수준의 오염 입자의 크기를 측정할 수 있는 새로운 기술을 개발했다.정 박사는 레이저로 오염 입자에 쪼였을 때 입자가 가열되면서 나오는 복사선의 세기로 오염입자의 농도를, 상승과 소멸시간으로부터 입자의 크기를 측정하는 ‘레이저 백열법’을 이용했다.
이 측정기술을 이용하면 플라즈마 화학증착이나 식각 등 현재의 반도체 제조 공정을 개선할 뿐 아니라 차세대 반도체 공정 및 나노소자 제작 공정에도 이용할 수 있다.
과학기술부는 지난 99년부터 진공기술 개발에 나서 이번에 개발된 나노 입자 측정기술을 포함, 모두 28개 기술 및 장비를 개발했다. 과기부는 앞으로 미래유망 신기술 개발에 대비, 극청정 진공기술 평가장비를 구축할 예정이다.
문병도기자
