테스는 3년동안 총 36억원을 투자 ‘전력반도체용 에피 성장장비(MOCVD)’를 개발해 향후 성장이 전망되는 전력반도체 장비시장으로 기반을 확대할 계획이다.
‘전력반도체’란 전력의 변환 및 제어에 사용되는 반도체로, 배터리로 동작해야 하는 장치들에서 배터리 구동시간을 늘리기 위해 많이 사용된다. 환경문제와 에너지 위기상황으로 에너지 소비의 고효율화가 중요해지고 있어 앞으로 전력반도체 시장은 성장시장으로 자리매김할 것으로 보인다.
테스는 이번 전력반도체 MOCVD를 GaN on Si 웨이퍼를 기반으로 개발을 추진한다. GaN on Si(질화갈륨 온 실리콘; Gallium Nitride on Silicon) 기반의 전력반도체 제조시에서는 에피성장이 핵심공정으로, 이미 테스가 UV LED용 MOCVD 양산경험을 통해 기반기술을 확보해 놓고 있어 장점을 극대화 할 수 있다.
높은 항복전압과 고온동작이 중요한 전력반도체에서는 GaN 소재를 기반으로 한 반도체 제조가 필수적이다. GaN 소재를 기반으로 생산된 전력 반도체를 사용하면 전력모듈에 필요한 냉각장치를 최소화할 수 있고, 시스템의 소형화 및 경량화를 가능케 하여 Si기반 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor; 고전력 스위칭용 반도체)에 비해 약 30%이상의 에너지 절감이 가능하고 전기자동차등에 적용하면 연료소모를 10%이상 줄일 수 있을 것으로 예상된다.
회사관계자는 “전력반도체의 상용화를 위해선 핵심공정인 에피성장 장비(MOCVD)가 필수적이라며, 자체 개발한 대구경 MOCVD 및 UV LED용 MOCVD 양산 및 판매경험이 있었기에 이번 전력반도체 에피성장 장비개발 주관기업으로 선정이 가능했다”고 설명했다.
또한, “에피구조 설계 및 평가등은 한국생산기술연구원과 화합물 반도체 분야에서 세계적으로 인정받고 있는 휴스턴 대학교 및 달라스 텍사스 주립대와 공동 진행하여 해외 원천기술을 습득하고 내재화 하는데 큰 도움이 될 것으로 기대된다”고 밝혔다.
테스는 세계 1위의 RF 디바이스 업체인 미국의 트라이퀸트(TriQuint Semiconductor)가 수요기업으로 참여한 만큼 ‘UV LED용 MOCVD’에서 ‘GaN 기반 전력반도체용 MOCVD’까지 제품 라인업을 확대 미래 먹거리 준비에 박차를 가한다는 계획이다.
