산업 산업일반

16나노 2세대 낸드플래시 SK하이닉스 본격 양산

128Gb도 내년초 내놓기로


SK하이닉스는 업계 최소 미세공정인 16나노미터(1나노미터는 10억분의1m)를 적용한 64Gb(기가비트) MLC(멀티레벨셀) 낸드플래시의 본격 양산에 나섰다고 20일 밝혔다.

SK하이닉스는 지난 6월 세계 최초로 16나노 공정을 적용한 1세대 제품을 양산한 데 이어 칩 사이즈를 줄여 원가경쟁력을 강화한 2세대 제품도 최근 양산을 시작했다. 이로써 낸드플래시의 경쟁력을 더욱 강화할 수 있는 계기를 마련하게 됐다고 회사 측은 설명했다.

또 SK하이닉스는 양산성을 확보한 16나노 64Gb MLC 낸드플래시 제품의 특성과 신뢰성을 기반으로 MLC 기준 단일 칩 최대 용량인 128Gb(16GBㆍ16기가바이트) 제품 개발도 완료했다. 이 제품은 내년 초 양산될 계획이다.


일반적으로 반도체 공정이 미세화될수록 데이터를 저장하는 셀과 셀 사이의 간격이 좁아지면서 데이터 간섭 현상이 심해지게 된다. 이에 SK하이닉스는 최신 공정방법인 에어갭 기술을 적용해 16나노 공정 적용에 따른 셀 간 간섭현상을 극복할 수 있었다고 설명했다. 에어갭 기술은 셀 주변을 절연물질로 채워 전기적으로 분리하는 대신 공기로 셀 주변을 채워 데이터 간섭 현상을 차단하는 기술이다.

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김진웅 SK하이닉스 플래시테크 개발본부장 전무는 “업계 최소 미세공정인 16나노 기술을 개발해 세계 최초로 양산한 데 이어 이번에 128Gb MLC 제품 개발까지 완료해 대용량 낸드플래시 라인업도 구축하게 됐다”고 말했다. 그는 또 “앞으로 높은 신뢰성과 데이터 사용 내구성을 확보한 낸드플래시 제품을 통해 고객 요구에 적극 대응해 나갈 것”이라고 덧붙였다.

한편 SK하이닉스는 TLC(트리플레벨셀) 및 3D 낸드플래시 개발에도 박차를 가하는 등 낸드플래시 솔루션 경쟁력을 강화해나간다는 계획이다.

일반적으로 셀 당 2개의 비트(bit)를 저장하는 플레시 메모리를 MLC라 부르며 TLC는 3개의 비트를 저장할 수 있다.

3D 낸드플래시는 미세공정 기술이 물리적 한계에 도달함에 따라 이를 극복하기 위해 기존 평면으로 배열된 셀을 수직으로 쌓아 올려 대용량을 실현하는 제품이다.


이재용 기자
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