11일 삼성전자와 관련업계에 따르면 반도체연구소는 최근 10나노급 낸드플래시 기술개발을 완료해 양산을 위한 준비작업에 착수했다. 연구소 내 기술개발이전팀이 현재 양산 중인 낸드라인에 10나노급 기술을 적용하기 위한 작업을 벌이고 있다.
삼성전자가 개발에 성공한 낸드플래시 미세공정 기술은 16나노와 18나노다. 연구소 자체실험 결과 수율 등을 포함한 생산성은 이미 검증됐지만 실제 양산에 어떤 미세공정 기술이 적용될지는 아직 확정되지 않은 상태다.
반도체에서 20나노 이하 미세공정은 기술적 한계로 평가되고 있으며 10나노 공정 기술은 그만큼 극복하기 어렵다. 미세나노를 적용할수록 반도체의 집적도는 높아진다. 삼성전자는 이번 10나노 낸드 기술개발로 경쟁사와의 격차를 최소 6개월~1년 이상 벌이게 됐다.
업계의 한 관계자는 "삼성전자가 당초 지난 6월 말까지 10나노급 기술을 개발한 뒤 양산까지 마무리할 예정이었지만 기술적 한계에 직면하면서 당초 계획보다 늦어진 것으로 보인다"며 "중국의 미세공정 기술이 많이 뒤처진데다 나노 기술은 유출 가능성이 작아 삼성전자가 중국에 과감하게 10나노 기술을 적용하는 것"이라고 설명했다.
한편 삼성은 12일 중국 산시성 시안에서 권오현 부회장 등이 참석한 가운데 낸드플래시 생산공장 기공식을 열 예정이다. 시안 공장은 해외 공장 가운데 가장 큰 규모로 10나노 생산기지로 활용된다.
