◎기존 64메가 생산시설 개조만으로 양산 가능/반도체업계,“2백56메가 교체 중간단계” 개발 착수삼성전자·NEC 등 세계주요 메모리반도체 생산업체들이 64메가D램과 2백56메가D램의 중간단계 제품으로 1백28메가D램 생산을 추진하고 있다.
이는 64메가에서 2백56메가제품으로 세대교체를 하는 과정에서 들어가는 엄청난 투자비를 절감하기 위한 것이다.
21일 관련업계에 따르면 한국의 삼성·현대·LG반도체, 일본의 후지쓰·NEC, 미국의 텍사스인스트루먼츠 등 세계 주요 메모리 생산업체들은 64메가D램에 반세대 정도 앞서는 1백28메가D램 개발에 이미 착수했으며 내년까지 시제품을 생산하고 이르면 99년부터 양산에 들어간다는 방침이다.
삼성은 현재 0.2미크론의 미세가공기술을 적용해 1백50㎒처리성능을 가진 1백28싱크로너스D램을 개발하고 있으며 현대는 내년 상반기에 제품을 발표할 계획이다. 일본업체 가운데 NEC는 내년 상반기에 샘플을 개발하고 하반기부터 생산에 들어갈 예정이며 후지쓰도 내년 1·4분기까지 0.25미크론기술을 이용한 1백28싱크로너스D램 샘플을 제작해 늦어도 하반기에는 상용제품을 내놓겠다는 방침이다.
현대의 한 관계자는 『64메가D램 이후 2백56메가D램으로 반도체의 세대교체를 이루려면 1개생산라인당 최소한 1조5천억∼2조원에 이르는 엄청난 투자비가 들어가기 때문에 그 중간단계로 1백28메가D램생산을 추진하고 있는 것이다』고 설명했다. 그는 『1백28메가D램 생산은 현재 대부분의 메모리업체들이 구축하고 있는 64메가D램의 생산시설을 약간만 개조하면 곧바로 생산할 수 있기 때문에 세계 주요업체들이 1백28메가D램을 생산할 것으로 본다』고 덧붙였다.
한편 1백28메가D램은 칩의 크기가 기존제품보다 길어 기판형식으로 사용될 가능성이 높은 것으로 알려지고 있는데 주된 수요처는 고성능워크스테이션, 멀티미디어 등일 것으로 전망되고 있다.<김희중>