이 제품은 지난 1월 삼성전자가 첫 양산에 돌입한 회로선폭 0.23미크론(1㎛는 100만분의1M) 공정보다 칩의 크기를 30% 축소할 수 있는 회로선폭 0.19㎛ 공정을 적용하고 있다. 이번에 출시된 제품은 144메가·128메가 다이렉트 램버스D램 단품(COMPONENT) 및 모듈 형태다.램버스D램은 정보처리 속도가 최대 1.6GBPS/SEC로 초당 신문지 12만8,000쪽의 데이터를 처리할 수 있는 초고속 제품으로 현재 PC에 주로 채용되고 있는 PC-100용 싱크로너스D램보다 10배 정도 처리속도가 빠르다. 특히 3차원 그래픽 영상동작이 필수적인 고성능PC·워크스테이션 등 고속처리를 요구하는 다양한 응용처에 채용돼 정보통신기기의 성능을 한단계 발전시킬 것으로 전망되는 차세대 제품이다.
삼성전자는 이번 2세대 램버스D램 출시는 경쟁사들보다 최소 6개월 이상 빠른 것으로 고속 램버스D램 초기시장 선점에 유리한 입지를 갖출 수 있을 것으로 기대하고 있다. 삼성전자는 이 제품을 통해 올해 세계시장의 60% 이상을 점유, 2억5,000만달러의 매출을 올리고 후발업체들의 참여가 본격화될 것으로 예상되는 내년에는 20% 이상의 시장점유율로 20억달러 이상의 매출을 달성할 계획이라고 밝혔다.
고진갑기자GO@SED.CO.KR
