삼성전자는 미국 텍사스주 오스틴에 위치한 반도체공장(SAS)에서 웨이퍼 가공시설인 팹(Fab) 확장을 기념하는 행사를 가졌다고 25일 밝혔다.
‘삼성 나노테크 익스팬션 데이(Samsung Nanotech Expansion Day)’로 명명된 이 행사는 지난 2003년 발표한 ‘나노테크 3개년 계획’에 따른 2차 투자를 기념하기 위한 것으로 황창규 반도체총괄 사장과 김재욱 부사장, 제프리코너 텍사스주 국무장관 등 정재계 인사 100여명이 참석한 가운데 지난 23일(현지시간) 열렸다.
삼성전자는 이번에 확장되는 팹에서 2005년 3ㆍ4분기 이후부터 100나노(1나노는 10억분의 1미터)급 첨단기술을 적용한 D램을 생산할 계획이다.
