주성엔지니어링(대표 황철주)은 싱가포르국립대학 실리콘나노소자연구실(책임자 조병진 교수)과 차세대 반도체장치 공동개발 계약을 체결했다고 22일 밝혔다.
양측은 초진공 선택적 에피텍셜층 성장장치(UHV SEG)를 이용한 차세대 고성능 반도체 소자기술을 공동개발하게 된다.
회사측은 “반도체소자의 크기가 30nm 이하로 작아지면 전자 이동속도의 포화현상으로 인해 소자의 특성 개선에 한계가 있다”며 “SEG 기술을 개발해 나노급 소자에서 전자의 이동속도를 300% 이상 향상시켜 기존 기술의 한계를 극복, 비메모리칩(Logic Device)으로 사업영역을 확대할 계획”이라고 설명했다.
