삼성전자가 화성 반도체 공장 증설 투자를 본격화한다.
삼성전자는 16일 화성 12인치 웨이퍼 전용 12라인에 6,288억원을 투자, 플래시 메모리 등 고부가 제품 생산능력을 확대한다고 발표했디.
이 같은 대규모 투자는 최근 산업자원부가 화성 반도체 공장 증설을 조기에 허용하기 위해`산업집적활성화 및 공장설립에 관한 법률` 시행령의 개정작업만으로 절차를 마무리할 방침이라고 밝힌 데 이어서 나온 것이다. 산자부의 시행령이 내년 1월 개정절차만 마무리되면 삼성전자는 기존 30만평 부지 외에 17만평을 추가로 확보해 오는 2010년까지 600억 달러를 투자, 현재 완공 또는 공사중인 6개 라인에 6개를 더 갖춰 명실공히 세계적인 메모리반도체 생산기지로 삼을 전략이다.
삼성전자 관계자는 “12라인 투자를 시작으로 내년 초부터 대규모 반도체 투자를 진행할 것”이라면서 “D램, 플래시 메모리, 비메모리 등 반도체 전 분야에서 세계 1위를 확고히 한다는 게 목표”라고 말했다.
삼성전자는 우선 12라인 신규투자를 통해 현재 웨이퍼 생산규모 월 1만5,000장을 4만장 수준으로 확대해 최근 수요가 급증해 공급이 딸리고 있는 플래시메모리를 대량생산할 계획이다. 삼성전자는 세계최초로 8기가비트 NAND 플래시를 개발하는 등 4년 연속 2배의 집적도 향상을 이뤄냈으며 올해 NAND 플래시 시장의 약 65% 이상을 점유, 세계 플래시 메모리 1위로 급부상했다.
삼성전자는 현재 12라인의 플래시메모리 생산비중은 30%정도로 시장상황에 따라 비중을 끌어올릴 방침이다. 플래시 메모리는 디지털카메라, 휴대폰, USB 드라이브, PDA, MP3 등 디지털 모바일 제품의 주요 부품으로 사용되고 있으며 매년 50% 이상 급성장하고 있다.
<최인철기자 michel@sed.co.kr>
