SK하이닉스는 올해 메모리 반도체 생산 규모를 지난해와 비슷한 규모로 유지할 것이라고 26일 밝혔다. 20나노 초반급 D램 양산을 확대하면서 10나노급 D램 개발에 주력한다는 목표다. 낸드는 14나노 평면 제품을 양산하면서 3차원(3D) 낸드 양산에 주력한다. SK하이닉스는 생산 캐파 작년 수준 유지하되 올해 시장 성장세와 비슷하거나 소폭 하회하는 수준으로 D램·낸드 생산량을 맞출 것이라고 했다.
