삼성전자가 여러 개의 반도체 칩을 쌓을 때 부피를 획기적으로 줄일 수 있는 새로운 개념의 차세대 반도체패키지 기술을 개발, 모바일 기기의 소형화에 기여할 것으로 전망된다.
삼성전자는 13일 세계 최초로 관통전극형(Through Silicon Via) 칩 접속방식의차세대 패키지 기술인 WSP(Wafer-level processed Stack Package)를 개발하고 이를적용해 8단적층 낸드플래시 복합칩도 개발했다고 밝혔다.
이 기술은 칩을 쌓을 때 금속배선을 이용해 연결함으로써 칩의 위아래로 수십마이크로미터(㎛)의 공간이 필요했던 기존 적층 기술과 달리 여러 장의 웨이퍼를 수직으로 관통하는 구멍을 뚫어 칩들을 직접 접속시킴으로써 공간을 대폭 줄였다.
이 기술을 사용하면 칩간의 간격이나 배선 연결을 위한 공간이 필요없기 때문에MCP(Multi Chip Package)보다 전체 두께는 30%, 실장면적은 15% 줄일 수 있다.
이 기술은 또 관통전극 구현을 위해 일반적인 드라이 에칭(Dry Etching)방식 대신 삼성전자의 독자기술인 레이저 드릴링(Laser Drilling)방식을 채택함으로써 반도체 제조공정중 포토.에칭 등의 공정을 생략, 제조 원가 절감에도 기여할 것으로 기대된다.
삼성전자는 WSP 기술을 이용해 50㎛ 두께의 2기가비트(Gb) 낸드플래시 8개를 쌓았으면서도 전체 두께는 560㎛에 불과한 16Gb의 제품을 개발하는데 성공했으며, 앞으로 8단적층 기준 320㎛ 두께의 초박형 제품도 개발할 방침이라고 밝혔다.
삼성전자는 이 기술과 관련해 16건의 특허를 국내외에 출원해 차세대 패키지 기술을 확보했으며 내년초부터 WSP 제품을 본격 양산해 낸드 기반 초소형.고용량 메모리 카드 등에 우선 적용해나갈 방침이라고 밝혔다.
