반도체업계 '300㎜-나노공정'으로 가격하락 돌파
최근 D램 가격이 급락하고 있는 가운데 반도체업계가 300㎜ 웨이퍼(반도체 원판) 설비투자와 나노(㎚.10억분의 1미터)급 미세회로공정 도입에 팔을 걷어 부쳤다.
이들 두가지 `비법'으로 생산효율은 높이고 원가는 줄임으로써 가격 하락을 정면 돌파하려는 것이다.
웨이퍼 하나를 가공하면 반도체 수백개가 나오는데 300㎜ 웨이퍼는 200㎜에 비해 생산량이 2.25배 증가하고, 회로선 폭을 0.11미크론(㎛.100만분의 1미터)에서 90나노로 줄이면 생산량을 추가로 50% 늘릴 수 있다.
◆300㎜ 투자 확대 = 10일 관련 업계에 따르면 삼성전자[005930]는 지난 9일 열린 크레딧 리요네 콘퍼런스에서 전 세계 300㎜ 웨이퍼 시장에서 차지하는 비중을 올해 33%, 2007년 37%로 높이겠다고 발표했다.
세계 300㎜ 웨이퍼 시장에서 삼성전자의 비중은 2003년 26%, 2004년 31%였다.
이를 위해 반도체 설비투자 규모를 작년 5조5천억원에서 올해 6조100억원으로 5천억원(9.3%) 늘렸다.
삼성전자의 300㎜ 생산능력을 보면 경기 화성의 11라인에서 월 1만매, 12라인에서 월 4만매를 생산하고 있으며, 13라인도 증설해 생산량을 현재 3만매로 늘렸다.
오는 7월에는 복층 구조의 기흥 14라인에 삼성전자 역사상 처음으로 300㎜ 플래시메모리 전용 라인과 시스템LSI 전용 라인이 들어선다. 이들 라인은 일단 월 7천매규모로 본격 가동에 들어간다.
하이닉스반도체[000660]는 이천 M-10 라인, ST마이크로와 합작 설립중인 중국공장, 대만 프로모스 파운드리(수탁생산업체) 등에 3개국에 300㎜ 라인을 확보하게 됐다.
하이닉스 최초의 300㎜ 라인인 M-10은 올 상반기 안에 월 2만-3만매 규모로 본격적인 양산체제를 갖추게 된다.
M-10은 `T1 프로젝트'를 통해 200㎜ 라인을 개조해 작년 여름 장비반입이 이뤄진 지 불과 석달 만에 90%대의 골든 수율(양품율)을 기록하며 시험가동에 성공했다.
중국 합작공장은 내년부터 양산에 들어가고 올 연말부터는 대만 프로모스 공장의 300㎜ 라인에서도 제품이 생산돼 하이닉스에 공급된다.
일본 엘피다메모리가 단일 라인으로는 세계 최대 규모로 짓고 있는 히로시마 공장이 오는 12월 양산에 들어간다.
1천억엔이 투자되는 이 공장은 회로선폭 80나노 공정으로 연내에 300㎜ 웨이퍼1만5천매 규모로 양산을 시작할 예정이며, 생산능력을 10만매까지 점차 늘릴 계획이다.
마이크론 버지니아 공장은 300㎜ 생산능력을 작년 말 6천매에서 올해 2만매로늘리고, 드레스덴 공장에서 3만5천매를 생산하는 인피니온은 올해 화이트오크 공장에서 5만매를 생산할 것으로 알려졌다.
◆회로선폭 나노 경쟁도 치열 = 회로선 폭을 줄이면 생산량이 그만큼 늘어나 원가가 크게 줄어든다.
삼성전자는 작년 9월 D램에 90나노 공정을 처음 도입한 데 이어 올 1분기에는 90나노 비중을 10%, 2분기 20%, 4분기 50%로 높일 계획이다.
삼성전자는 크레딧 리요네 콘퍼런스에서 "올해 D램 수요는 46% 늘어나고 공급은48% 늘어나면서 가격은 32% 가량 떨어질 것"이라며 "90나노 공정 비중을 늘려 가격하락에 맞서겠다"고 말했다.
낸드플래시의 경우 올 1분기에는 90나노 비중을 90%로 높이고 70나노 공정도 시작했으며, 2분기에는 70나노 비중을 5%까지 늘리기로 했다.
하이닉는 D램은 현재 0.11미크론 공정이 주력이지만 연말까지 대부분 90나노로전환할 계획이다. 90나노가 주력인 낸드플래시도 올해 70나노로 전환해 세계 3위로올라선다는 전략이다.
(서울=연합뉴스) 공병설기자
입력시간 : 2005-03-10 08:47
