삼성전자가 70나노 공정을 적용한 퓨전반도체(차세대 메모리 반도체)인 원낸드를 본격적으로 양산한다.
삼성전자는 4일 미세 가공기술인 70나노 공정을 적용해 1기가비트(Gb) 원낸드 제품의 양산을 시작했다고 밝혔다. 70나노 공정을 적용함에 따라 삼성전자는 기존 90나노 공정에 비해 원낸드 생산성이 70% 가량 향상될 것으로 전망하고 있다.
삼성전자 관계자는 “지난해 5월 낸드플래시에 이어 원낸드가지 최첨단 70나노 공정을 적용함에 따라 메모리 제품군의 원가 경쟁력을 한층 높일 수 있을 것으로 전망된다”고 말했다.
70나노 적용 원낸드는 읽기 속도가 ‘108MByte/초’에 달해 기존 90나노 제품(68MByte/초)에 비해 60% 정도 빠른 장점을 가지고 있다. 원낸드는 낸드형 플래시메모리를 기반으로 S램과 로직(Logic)회로 등을 하나의 칩으로 만들어 쓰기 성능이 우수한 낸드플래시와 읽기 성능이 뛰어난 노어플래시의 장점을 골고루 갖춘 제품이다.
원낸드는 현재 모바일 시장에서 우수성을 인정 받고 있으며 디지털카메라ㆍ셋톱박스ㆍ디지털TV 등 다양한 응용분야로 시장이 확대되고 있다.
한편 삼성전자는 지난달 대만에서 개최한 ‘삼성 모바일 솔루션 포럼’에서 원낸드 탑재형 초고속 메모리카드를 업계 최초로 발표, 원낸드가 외장 메모리카드로까지 확대될 것임을 시사했다.
특히 내년 초 원낸드를 결합한 하이브리드 HDD(하드디스크드라이버)를 사용하는 새로운 PC 운영체제인 ‘윈도 비스타’가 출시되면 원낸드는 모바일영역을 넘어 PC영역에까지 확대될 것으로 전망하고 있다. 삼성전자는 원낸드 시장이 2008년 10억달러, 2010년 15억달러 규모를 형성할 것으로 예상하고 있다.
