"위기 넘자" 반도체 미세공정 개발 경쟁 후끈

반도체업계의 공정기술개발 경쟁이 가열되고 있다. 제조원가를 낮추고 가격하락에 대응하기 위해서다. 업계는 특히 세밀한 공정개발이 곧 수익성 향상으로 이어진다고 보고 경쟁업체보다 앞선 공정기술개발에 사활을 걸고 있다. 25일 반도체업계에 따르면 일본의 엘피다가 최근 25나노 D램을 세계 최초로 개발하는 데 성공했다고 발표하면서 국내외 반도체업계의 기술과 자존심 경쟁이 치열하게 달아오르고 있다. 권오철 하이닉스반도체 사장은 최근 "일부 반도체업체가 25나노 D램을 개발했다고는 하지만 과연 이것이 하이닉스 기준으로 25나노 D램인지 확신할 수 없다"며 기술경쟁에 결코 뒤처지지 않겠다는 점을 명확히 했다. 이 같은 경쟁은 3ㆍ4분기 시장 전망이 불확실해 반도체 가격의 추가적인 하락 가능성을 배제할 수 없을 것이라는 분석이 나오면서 더욱 가속화되고 있다. D램익스체인지에 따르면 지난 13일 대표적 D램 제품인 DDR3 1Gb 128Mx8 1066㎒의 7월 전반기 고정거래가격이 0.84달러를 기록해 DDR3 제품이 출시된 2009년 이후 가장 낮은 가격을 보였다. 이에 따라 나노 경쟁에서 뒤처진 대만의 일부 업체 등이 감산위기에 내몰리고 있다. 기술경쟁에서 가장 앞선 업체는 삼성전자와 하이닉스다. 우선 삼성전자는 현재 양산 중인 30나노급에 이어 올해 말까지 20나노급 공정을 적용한 D램을 생산할 계획이다. 하이닉스 역시 올해 말까지 20나노급 D램 개발 완료를 목표로 반도체 미세공정에 매진하고 있다. 마이크론의 경우 올해 말까지 30나노급 공정을 적용할 계획이고 일본 엘피다는 현재 30나노급 기술을 적용해 D램을 생산 중이다. 엘피다도 이미 25나노 공정개발을 완료했다고 발표한 바 있다. SD카드 등에 적용되는 낸드플래시 분야에서도 국내 업체의 독주가 이어지고 있다. 삼성전자는 현재 20나노급 공정을 통해 낸드플래시를 생산하고 있는 가운데 올해 말까지 20나노 공정 적용을 위한 기술개발을 진행하고 있다. 하이닉스도 20나노급 기술로 양산 중이며 20나노 기술공정을 개발하고 있다. 올 하반기에 양산까지 하겠다는 게 하이닉스의 목표다. 도시바의 경우 올해 말 19나노 기술개발로 3ㆍ4분기에 양산이 가능할 것으로 추정된다. 반도체업계의 한 관계자는 "반도체 가격 하락 가능성이 상승반전 가능성보다 높아 상대적으로 기술이 뒤처진 공정에 그치고 있는 대만 난야 등 일부 업체가 3ㆍ4분기에 감산할 가능성이 높다"며 "과거 가격하락 시기에 증산을 통한 치킨게임 양상이었다면 지금은 기술개발을 통한 원가 낮추기로 경쟁양상이 바뀌고 있다"고 전했다.