◎국내사 싱크로너스 등 주력/차별화로 추격 따돌리기대만 및 미국의 일부업체들이 16메가D램의 생산을 대폭 늘리면서 저가공세를 펼침에 따라 삼성전자를 비롯한 국내반도체업체들은 싱크로너스D램 등 고급화에 주력하고 있다.
26일 관련업계에 따르면 삼성·LG·현대전자 등 국내반도체업체들은 16메가D램시장이 고속제품으로 급속히 전환됨에 따라 시장동향에 발빠르게 대응, 고속제품을 특화·집중육성함으로써 대만 등 후발업체와 제품차별화를 적극 추진하고 있다.
현대전자는 현재 D램시장이 기존의 EDO(Extended Data Out)시장에서 싱크로너스시장으로 전환되고 있는 추세에 발맞춰 D램생산량 가운데 싱크로너스제품의 생산비중을 16메가D램의 경우 70%까지, 64메가D램의 경우 80%까지 확대해 시장을 선도한다는 방침이다. 또한 S(Static)램의 경우 내년 PC메모리의 표준이 될 1백메가㎐의 생산을 확대해 고부가가치 D램에 집중한다는 계획이다.
64메가D램은 오는 98년초에 최고 1백43메가㎐급 초고속제품을 개발·생산함으로써 앞으로 CPU와의 성능차이를 점차 줄여나갈 계획이다. 또한 중장기적으로는 차세대메모리인 램버스와 싱크링크D램의 조속한 개발로 제품경쟁력을 강화한다는 방침이다.
LG반도체는 범용D램보다 처리속도가 최대 두배 정도 빠르고 부가가치도 10∼20% 정도 높은 싱크로너스D램과 램버스D램 등 고속제품을 집중 육성함으로써 메모리의 고급화를 도모, 수익성을 높이겠다는 전략이다. 이와함께 차세대 제품인 64메가D램에 대한 선행공정기술을 앞서 개발하고 2백56메가D램 등 고속화와 선행기술투자에 주력할 방침이다.
삼성전자는 대만과 미국의 마이크론 등 후발업체와 제품차별화를 위해 고급제품시장에서의 위치를 굳혀 나간다는 전략 아래 고급제품의 개발과 양산에 박차를 가하고 있다.
이를 위해 삼성전자는 싱크로너스방식 16메가D램의 생산비중을 단계적으로 늘려 올 4·4분기에 5대5, 98년초부터는 싱크로너스제품을 EDO보다 더 많이 생산할 계획이다.
삼성은 EDO방식의 메모리를 생산하는 기존 라인에서 싱크로너스방식의 제품을 생산하는 데는 기술적인 면에서 별다른 어려움이 없기 때문에 필요에 따라 기존의 EDO라인을 싱크로너스라인으로 전환한다는 전략이다. 그러나 삼성은 신규라인인 싱크로너스라인에서의 메모리 생산량을 늘리고 EDO라인에서는 비메모리제품의 생산을 겸하도록 하는 방식으로 EDO제품의 생산비중을 줄일 방침이다.<김희중 기자>
