반도체 관련 기사를 보면 흔히 접 할 수 있는 용어 중 하나가 `F램`이다.
램(RamㆍRandom Access Memory)은 흔히 알고 있듯 데이터를 해독, 기록할 수 있는 컴퓨터의 주기억장치를 말한다. 대표적인 종류가 D램(Dynamic Ram)램과 S램(Static Ram). D램은 데이터저장 용량이 크다는 장점이 있지만 반면 시간이 지나면서 작업 기억이 흐려지는 단점을 지니고 있다. 흔히 램이라고 할 때는 D램을 일컫는 경우가 많다. S램은 D램의 단점을 보완, 전원이 공급되는 한 기억이 보존되고 데이터처리가 D램보다 네 배 이상 빠른 장치다. 하지만 가격이 비싸 소용량 기억장치로 주로 사용되고 있으며 S램 역시 전원이 끊기면 저장한 데이터가 모두 지워진다. 이와 별도로 전원을 꺼도 정보가 지워지지 않고 데이터를 자유롭게 입력할 수 있는 플래시메모리(Flash Memory)란 장치도 있다. 하지만 플래시메모리는 데이터 용량이 작은 단점을 지녔다.
F램(Ferroelectric Ram)은 이들의 단점을 모두 보완한 차세대 기억장치다. 여기서 Ferroelec tric는 `강유전체`(强誘電體)물질이라고 한다. F램은 이 강유전체 물질의 특성, 즉 전원을 넣지 않은 상태에서도 축적된 전기를 보존하며 낮은 전기적 충격에도 민감하게 반응하는 성질을 이용한 램이다. 이로 인해 F램은 D램의 대용량 데이터 저장기능과 S램의 고속동작 기능에 전원이 꺼져도 기록된 데이터가 지워지지 않는 장점을 모두 갖추고 있다. 게다가 저장용량 또한 플래시메모리보다 월등히 높다. 또한 전기충격에 민감한 물질을 이용해 만들어지기 때문에 데이터 저장 장소에 D램, S램, 플래시 메모리 기능을 모두 넣어도 데이터가 섞이지 않는다.
F램을 이용한 제품은 80년대 말 미국의 램트론사가 개발한 바 있다. 국내에서는 99년 삼성전자가 컴퓨터에 사용하는 4메가 F램을 개발했다. 또 지난 3월 하이닉스 반도체는 미세 가공기술을 적용한 F램 상용화 기술 개발에 성공했다고 밝힌 바 있다.
<현상경기자 hsk@sed.co.kr>
