삼성전자가 90나노 공정을 기가급 D램에 확대 적용, `나노'와 `기가' 동시정복을 통해 나노급 대용량 D램 시장 주도권 선점에 나선다.
삼성전자는 세계 최초로 90나노(1나노=10억 분의 1ｍ, 사람 머리카락 굵기의 10만분의 1) 공정을 적용한 1Gb DDR2 D램의 본격적인 양산에 돌입했다고 23일 밝혔다.
앞서 삼성전자는 지난해 9월 90나노 공정을 적용한 512Mb D램 생산을 시작하며 본격적인 나노 D램 시대를 열었었다.
90나노 공정은 기존의 0.11㎛(미크론)급 공정 대비 약 40%의 생산성 향상 효과가 있어 원가경쟁력을 획기적으로 높일 수 있는 최첨단 메모리 미세공정 기술이다.
삼성전자는 이미 90나노 공정을 적용하고 있는 512Mb DDR, 512Mb DDR2 및 512Mb그래픽 DDR3에 이어 기가급 D램에도 90나노 공정을 적용해 세계 최초 양산을 시작,차세대 나노급 D램 시장의 지배력을 더욱 확고히 하게 됐다고 설명했다.
이번에 삼성전자가 양산하는 제품은 동작전압 1.8V의 90나노 1Gb DDR2 400/533/667로 90나노 공정을 적용한 1Gb D램으로는 최초로 인텔의 인증도 획득했다.
삼성전자는 동일 라인, 동일 공정에서 마스크 교체만을 통해 DDR2와 DDR을 함께생산할 수 있는 'Combo Die'(콤보 다이) 공정법을 적용한 DDR-DDR2 동시 양산체제를확보, 이르면 3분기부터 90나노 1Gb DDR 400 제품도 양산할 계획이다.
최근 서버를 비롯한 PC 환경이 64비트 시대를 맞이하면서 이를 지원하는 메모리의 용량도 지속적으로 증가할 것으로 분석되고 있다.
반도체 시장조사 전문기관 데이터 퀘스트에 따르면 올해부터 D램 시장은 기존 256Mb D램에서 512Mb D램으로 전환, 본격적 대용량 D램 시대를 맞이할 전망이다.
1Gb 이상 기가급 D램도 점차 늘어나 2008년에는 1Gb D램이 170억달러 규모로 주력 메모리 제품이 될 것으로 예상된다.
삼성전자는 올 4분기까지 90나노 1Gb D램 월 100만개 생산체제를 갖추고 지속적으로 생산량을 늘려 나갈 예정이며 90나노 공정 비중도 올 연말에는 40%로 확대할계획이다.
(서울=연합뉴스) 송수경 기자
