도는 이번 사업을 통해 도는 초고속통신에 사용되는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 이를 이용한 초고속 통신소자(HEMT)를 개발할 계획이다.
인듐갈륨비소 에피웨이퍼는 갈륨비소, 실리콘웨이퍼 등 물질표면에 별도 화합물 반도체층을 성장시킨 것으로, 현재 사용되는 실리콘 웨이퍼보다 다양한 기능과 성능을 구현할 수 있는 시스템 반도체 소재다.
5G, 사물인터넷(IoT), 자율자동차 등 4차 산업혁명 실현을 위한 핵심부품 제작에 사용되는 소재인 만큼 수요가 갈수록 증가할 것으로 예상한다.
하지만 많은 개발비용과 연구인력, 인프라 등으로 중소기업 차원의 개발이 어려워 미국, 일본 등 해외 수입에 의존하고 있다.
도는 이번 개발비 지원을 통해 나온 성과를 중소기업과 대학, 연구소에 제공해 시스템반도체 소재 독립 및 중소기업 매출 증대를 도모할 방침이다.
최병길 경기도 과학기술과장은 “해외 수입에 의존하고 있는 인듐갈륨비소 에피웨이퍼와 초고속 통신소자를 국산화하게 될 경우 시스템 반도체 소재 독립을 도모할 수 있는 것은 물론 중소기업의 매출도 크게 증가할 것으로 기대된다”며 “반도체 기술 독립을 위해 해외의존도가 높은 소재 부품의 국산화 연구 사업을 지속적으로 발굴해 나갈 것”이라고 말했다.
