삼성전자 "반도체 세대교체"300㎜ 웨이퍼 라인 가동-512메가 D램 양산 본격화
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삼성전자가 메모리 반도체 제품의 세대교체를 주도하고 나섰다.
황창규 삼성전자 메모리사업부 사장은 29일 서울 신라호텔에서 내외신 기자회견을 갖고 "반도체 업계에서 처음으로 300mm 웨이퍼 라인의 본격 가동과 함께 대용량 512메가 D램 양산에 들어가는 등 차세대 메모리 사업을 본격화하기로 했다"며 "이를 통해 오는 2005년 인텔에 이어 세계2위 반도체 업체로 도약할 계획"이라고 밝혔다.
현재 세계 반도체 업계에서 300㎜ 웨이퍼 가공은 타이완의 일부 업체들이 실험실 수준에서 시도하고 있으나 양산에 나선 것은 삼성전자가 처음이다.
황 사장은 이미 지난 7월 말부터 경기 화성 2단지의 11라인 내에 300㎜ 웨이퍼 양산라인을 시험 가동, 9월에 양산기술을 확보했으며 최근 본격 가동해 대형 컴퓨터 업체에 제품을 공급하고 있다고 밝혔다.
삼성은 이와 함께 512메가 DDR D램의 양산체제에 돌입, 기존 128메가 D램 중심의 반도체 시장을 256메가 D램 중심으로 빠르게 전환시켜나가기로 했다.
황 사장은 "2003년에 512메가 제품을 주력으로 한 반도체 세대교체를 추진할 계획"이라며 "그동안 256메가 SD램을 생산하고 있는 10라인에 0.12미크론 공정을 적용해 512메가 SD램 등 대용량 메모리 반도체 제품 양산에 돌입했다"고 밝혔다.
삼성은 또 2003년부터는 0.10미크론의 극초미세 공정을 적용한 512메가 제품을 양산하고 2004년까지는 0.07미크론 공정기술을 양산에 적용할 방침이다.
삼성전자는 이와 함께 플래시메모리ㆍS램의 비중을 D램 사업과 맞먹는 50% 수준으로 늘리고 최근 1위로 올라선 NAND형 플래시메모리는 물론 NOR형 플래시메모리 시장에도 진출하는 등 반도체 사업 부문의 포트폴리오를 다양화, 2005년 메모리 분야에서만 200억달러의 매출을 올릴 계획이다.
조영주기자
