세계 세번째로 '90nm공정기술' 개발삼성전자가 미국 인텔과 타이완의 TSMC에 이어 세계 세번째로 반도체 공정기술에서 '나노(1 나노(㎚)=10억분의 1ｍ)' 시대를 열었다.
나노 기술은 반도체 칩의 크기가 작아져 원가 경쟁력을 배가 시키고 동작 속도가 빨라지는 것을 의미해 차세대 시장에서 시장 경쟁력의 우위를 이어가는 핵심 기법으로 꼽혀 왔다.
삼성전자는 28일 IT(정보기술) 산업의 핵심이 될 SOC(시스템온칩) 반도체의 동작속도 개선과 초소형화에 필요한 '90㎚ 공정기술' 개발에 성공, 나노시대를 열었다고 발표했다.
삼성전자는 이 기술을 2004년부터 주력사업인 휴대기기용 CPU 및 SOC 제품 양산에 우선 적용하고 마이크로프로세서, 모바일칩 등 비메모리반도체인 시스템LSI 전분야로 확대할 계획이다.
삼성전자가 이번에 개발한 공정기술은 1V의 저전압에서 동작하는 90㎚ 크기의 미세한 트랜지스터에 구리 다층배선공정을 적용한 것으로 SOC 제품의 속도향상과 저전력화에 기여하게 된다.
SOC는 여러가지 반도체 칩을 하나의 칩에 집적화ㆍ시스템화하는 기술로 디지털기술 및 제품의 융합을 위해서는 나노기술의 확보가 필수적이다.
90㎚ 공정기술은 기존의 0.13㎛(미크론) 공정과 비교하면 동작속도는 30% 향상되고 칩 크기는 50%가량 축소가 가능하다고 삼성전자는 설명했다.
삼성전자는 이 기술을 바탕으로 초고속 공정과 저전압 공정은 물론 메모리 내장공정 등 90㎚공정의 전략적 포트폴리오를 내년까지 갖출 예정이다.
삼성전자의 이번 기술 개발에 앞서 세계 최대 반도체 업체인 미국 인텔과 최대 파운드리(수탁생산) 업체인 타이완 TSMC는 올 2월 나노 기술 개발에 성공했다고 발표했다.
김영기기자
