권종오 SK하이닉스 부사장이 5일 서울 강남구 SK AI 서밋 2024에서 자사 기술에 대해 설명하고 있다.사진=독자 제공SK하이닉스가 이달 공개한 16단 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)의 테스트 수율이 12단 제품과 동일한 수준이라며 안정적으로 확보되고 있다고 5일 밝혔다.
권종오 SK하이닉스 팀장은 5일 오후 서울 강남구 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024' 행사에서 16단 HBM을 위한 적층 기술을 소개했다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 기존 D램보다 용량과 대역폭을 크게 늘린 제품이다. 수많은 데이터를 병렬 연산하는 데 특화돼 인공지능(AI)용 메모리로도 불린다. 이때 D램을 많이 쌓을 수록 높은 성능을 구현할 수 있다. 때문에 업계에서는 양산 단계에 들어선 12단 제품을 넘어 16단 등으로 높이를 확대하기 위한 연구에 매진 중이다.
권 팀장은 이날 이달 업계 최초로 공개한 HBM3E 16단 제품에 대한 테스트 수율 현황을 공개했다. 테스트 수율이란 양산 단계 전 제품 개발 과정에서의 수율을 뜻한다. 그는 12단 제품의 수율을 1로 잡을 때 16단 제품은 현재 0.99의 테스트 수율을 달성했다고 알렸다.
회사는 또 16단 HBM3E 구현의 핵심인 '어드밴스드 매스 리플로우-몰디드 언더필(MR-MUF)' 기술도 고도화 지속적으로 고도화 중이라고 덧붙였다. MR-MUF는 D램을 쌓는 여러 방법 중 하나다. SK하이닉스는 절연필름 압착방식(TC-NCF)을 쓰는 삼성전자, 마이크론과 달리 이 기술을 고도화해 업계 최고의 양산성을 달성했는데 차세대 제품인 HBM4(6세대)와 HBM4E(7세대), HBM5(8세대) 등을 만들 때도 이 기술을 활용한다는 계획이다.
권 팀장은 "HBM4와 4E, HBM5에서도 16단 제품은 어드밴스드 MR-MUF를 계속 활용해야 한다고 보고 있다"며 "경쟁사가 HBM4E에서는 하이브리드 본딩을 적용할 것으로 전망되는데, 당사는 16단이나 20단에서 두 본딩 기술의 이점을 비교하고 적용 계획을 수립할 것"이라고 밝혔다.
